[发明专利]碲化镉/硫化镉太阳能电池在审
申请号: | 201210166397.2 | 申请日: | 2012-05-25 |
公开(公告)号: | CN102751345A | 公开(公告)日: | 2012-10-24 |
发明(设计)人: | 刘生忠;李灿 | 申请(专利权)人: | 陕西师范大学;中国科学院大连化学物理研究所 |
主分类号: | H01L31/0296 | 分类号: | H01L31/0296;H01L31/02 |
代理公司: | 西安永生专利代理有限责任公司 61201 | 代理人: | 申忠才 |
地址: | 710062 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 碲化镉 硫化 太阳能电池 | ||
技术领域
本发明属于太阳能电池技术领域,具体涉及到碲化镉硫化锌太阳能电池。
背景技术
联合国组织的研究报告表明,能源消耗指数是衡量社会发展和发达水平的一个重要指标。为了进一步改善生活质量,特别是贫穷地区的生存生活,电力消费需要在现在的水平上再增加十倍以上。目前人类主要有火力发电、水利发电、核电技术。火力发电所采用的化石燃料能源,在带给人们文明与进步的同时,也带来日益严重的环境污染,化石燃料已经越来越少,面临被用尽的边缘。水利发电的利用已达到顶峰,不可能再有显著发展。核电技术一直是一项国防和战略性敏感技术,而且核废料很难处理,2011年4月日本福岛核电站受地震海啸破坏后泄漏大量核辐射,核电站的安全更是令人生畏。
太阳能是取之不尽,用之不竭的能源,太阳能的利用不会造成环境污染,因此,太阳能的利用,受到世界各国的重视,太阳能产品目前使用较广的有太阳能热水器、太阳能集热器、太阳能电池等。太阳能电池有硅薄膜电池、单(多)晶硅电池、硅薄膜电池、碲化镉电池、铜铟镓硒电池,晶硅技术是第一代传统技术,技术含量低,历史悠久,起始投资相对较低,目前占有绝大部分市场。但因为使用很多比较昂贵的晶硅材料;硅薄膜电池制造过程耗能多,能源回报周期太长;碲化镉电池制造过程产生太多污染,碲化镉产品目前成本较低,是世界太阳能产业领跑者;铜铟镓硒的优点是实验室起始效率高,尽管仅有少量市场产品,使用效率都远远低于其实验室效率,其致命缺点是重复性差、制造难度大、对微量水蒸汽极其敏感,关键元素CdTe地球含量低、毒性高。
目前太阳能电池发电成本还是远高于传统火力发电、水力发电等。
美国First Solar公司的硫化镉/碲化镉产品已经遍布世界各地,目前已经建成多个大型太阳能电池发电站。截止2011年11月,累计发电量达5000兆瓦(5GW)。硫化镉的是米黄色物质,吸收蓝光波段,在强紫外光下不稳定。
专利号为201010274863.X、发明名称为《一种CdTe电池过渡层及其制备方法及CdTe》的申请专利,其主要结构是由依次层叠的玻璃衬底、透明导电层、CdS层、CdTe层、过渡层以及背电极构成。过渡层为ZnTe和Cu层交替堆积的多层结构。这种太阳能电池,其主要缺点是,结构复杂、热效率底。
在太阳能技术领域,当前需迫切解决得一个技术问题是提供一种太阳能转换效率高、产品成本低的太阳能电池。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于克服上述太阳能电池的缺点,提供一种转换效率高、产品成本低的碲化镉/硫化镉太阳能电池。
解决上述技术问题所采用的技术方案是:在基底上表面设置有背电极,背电极上表面设置有电池结,电池结的上表面设置前电极。本发明的电池结包括碲化镉薄膜,在碲化镉薄膜的上表面设置有硫化镉薄膜和硫化锌薄膜或硫化镉-硫化锌合金薄膜,硫化镉-硫化锌合金薄膜用通式CdxZn1-xS表示的材料组成,式中0≤x<1。
本发明的碲化镉薄膜的厚度至少为1000nm,硫化镉-硫化锌合金薄膜的厚度至少为20nm。
本发明的碲化镉薄膜的厚度至少为1000nm,硫化镉薄膜和硫化锌薄膜的厚度为20~60nm,其中硫化镉薄膜的厚度为5~15nm。
本发明的碲化镉薄膜的厚度至少为1000nm,硫化镉薄膜和硫化锌薄膜的厚度最佳为50nm,硫化镉薄膜的厚度最佳为5nm。
本发明的基底是厚度不超过0.15mm不锈钢薄片或厚度不超过2mm的表面镀有金属薄膜的高分子材料基底;所述的高分子材料为聚酰亚胺、聚氟乙烯、密度>1.55g/cm3的聚氯乙烯中的任意一种。
本发明采用在镀膜碲化镉薄膜上表面镀膜硫化镉-硫化锌合金薄膜、或硫化镉和硫化锌薄膜,替代了现有硫化镉薄膜,硫化锌比硫化镉稳定且更透明,电流密度和电池稳定性显著提高;采用厚度不超过0.15mm不锈钢薄片或厚度不超过2mm的表面镀有金属薄膜的高分子材料基底,这种太阳能电池柔性好、质量轻、单位重量发电效率高,所制备的太阳能电池可以卷曲,可随身携带。本发明具有转换效率高、产品成本低、重量轻、携带方便等优点,可作为太阳能电池。
附图说明
图1是本发明实施例1的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和各实施例对本发明进一步详细说明,但本发明不限于这些实施例。
实施例1
在图1中,本实施例的碲化镉/硫化镉太阳能电池由前电极1、电池结2、背电极3、基底4联接构成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的