[发明专利]碲化镉/硫化镉太阳能电池在审
| 申请号： | 201210166397.2 | 申请日： | 2012-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN102751345A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 刘生忠;李灿 | 申请（专利权）人： | 陕西师范大学;中国科学院大连化学物理研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0296 | 分类号： | H01L31/0296;H01L31/02 |
| 代理公司： | 西安永生专利代理有限责任公司 61201 | 代理人： | 申忠才 |
| 地址： | 710062 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碲化镉 硫化 太阳能电池 | ||
1.一种碲化镉/硫化镉太阳能电池，在基底（4）上表面设置有背电极（3），背电极（3）上表面设置有电池结（2），电池结（2）的上表面设置前电极（1），其特征在于：所述的电池结（2）包括碲化镉薄膜，在碲化镉薄膜的上表面设置有硫化镉薄膜和硫化锌薄膜或硫化镉-硫化锌合金薄膜，硫化镉-硫化锌合金薄膜用通式CdxZn1-xS表示的材料组成，式中0≤x<1。
2.根据权利要求1所述的碲化镉/硫化镉太阳能电池，其特征在于：所述的碲化镉薄膜的厚度至少为1000nm，硫化镉-硫化锌合金薄膜的厚度至少为20nm。
3.根据权利要求1所述的碲化镉/硫化镉太阳能电池，其特征在于：所述的碲化镉薄膜的厚度至少为1000nm，硫化镉薄膜和硫化锌薄膜的厚度为20～60nm，其中硫化镉薄膜的厚度为5～15nm。
4.根据权利要求3所述的碲化镉/硫化镉太阳能电池，其特征在于：所述的碲化镉薄膜的厚度至少为1000nm，硫化镉薄膜和硫化锌薄膜的厚度为50nm，其中硫化镉薄膜的厚度为5nm。
5.根据权利要求1所述的碲化镉/硫化镉太阳能电池，其特征在于：所述的基底（4）是厚度不超过0.15mm不锈钢薄片或厚度不超过2mm的表面镀有金属薄膜的高分子材料基底；
上述的高分子材料为聚酰亚胺、聚氟乙烯、密度＞1.55g/cm3的聚氯乙烯中的任意一种。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
