[发明专利]多层陶瓷电子元件和多层陶瓷电容器

说明书

本申请要求于2011年5月31日在韩国知识产权局提交的第10-2011-0052480号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开通过引用包含于此。

技术领域

本发明涉及一种多层陶瓷电子元件，更具体地讲，涉及一种可靠性高的多层陶瓷电子元件。

背景技术

通常，诸如电容器、电感器、压电器件、变阻器或热敏电阻器等的使用陶瓷材料制造的电子元件一般具有由陶瓷材料制成的陶瓷主体、形成在陶瓷主体内部的内电极以及放置在陶瓷主体的表面上以连接到对应的内电极的外电极（即，端子电极）。

在陶瓷电子元件中，多层陶瓷电容器典型地包括：多个顺序层压的介电层；内电极，布置成相互面对，同时使每一个介电层设置在内电极之间；端子电极，电连接到对应的内电极。

这样的多层陶瓷电容器具有有利的特征，例如，尺寸小但电容高、易于安装等，并由此广泛地用作诸如计算机、PDA、移动电话等移动通信设备的组件。

近年来，随着朝向尺寸更小的、多功能电子产品的趋势，电子部件已经趋于具有更小的尺寸和高的性能。相适应地，需要电容大而尺寸小的高电容多层陶瓷电容器。为了增大多层陶瓷电容器的电容，应当增加多层陶瓷电容器的层压的层数而减小介电层和内电极层中的每个层的厚度。然而，如果介电层和内电极变薄且层压的层数增加，则会增大电介质击穿的可能性，并且会出现分层和裂纹，从而使多层陶瓷电容器的可靠性下降。因此，在开发高电容多层陶瓷电容器并使其微型化方面存在着限制。

发明内容

本发明的一方面提供了一种可靠性高的多层陶瓷电子元件。

根据本发明的一方面，提供了一种多层陶瓷电子元件，所述多层陶瓷电子元件包括：多层主体，具有介电层；多个内电极，设置在多层主体中，并且具有暴露于多层主体的至少一个面的端部，其中，当T1表示通过叠置多个内电极而形成的电容形成部分的厚度，并且T2表示布置在多层主体的暴露内电极的端部的一个面上的最外面的内电极的端部之间的距离时，T2与T1之比（T2/T1）在0.70至0.95的范围内，形成有电容形成部分处的多层主体的厚度D1大于多层主体的暴露内电极的端部的第一侧的厚度D2。

形成有电容形成部分处的多层主体的厚度D1可以是多层主体的最大厚度。

电容形成部分的厚度T1可以是布置在多层主体的中部的最外面的内电极之间的距离。

电容形成部分的厚度T1可以是作为在多层主体的中部相互垂直的两个横截面的交线上布置在最上面的层上的一个内电极与布置在最下面的层上的另一内电极之间的距离来测量的。

电容形成部分的厚度T1与最外面的内电极的端部之间的距离T2可以是在多层主体的同一横截面上测量的。

最外面的内电极的端部之间的距离T2可以是在多层主体的第一侧的中部测量的。

多层主体的第一侧的厚度D2与形成有电容形成部分处的多层主体的厚度D1之比可以在0.75至0.97的范围内。

形成有电容形成部分处的多层主体的厚度D1可以在310μm至320μm的范围内。

形成有电容形成部分处的多层主体的厚度可以大于多层主体的没有使内电极的端部暴露的横向面的厚度。

电容形成部分的厚度T1可以在270μm至280μm的范围内。

多层主体的第一侧的最小厚度D4与多层主体的第一侧的最大厚度D3之比可以在0.78至0.95的范围内。

多层主体的第一侧的最小厚度D4可以形成在不存在内电极的余量部分上。

布置在内电极之间的介电层的厚度可以小于0.65μm。

内电极的厚度可以为0.7μm或更小。

根据本发明的另一方面，提供了一种多层陶瓷电容器，所述多层陶瓷电容器包括：多层主体，具有第一侧和第二侧；多个第一内电极和多个第二内电极，设置在多层主体中，并且具有暴露于多层主体的第一侧和第二侧中的至少一侧的端部，其中，当通过叠置所述多个第一内电极和所述多个第二内电极而形成的电容形成部分的厚度为T1，并且布置在多层主体的第一侧或第二侧上的最外面的第一内电极的端部或最外面的第二内电极的端部之间的距离为T2时，T2与T1之比（T2/T1）在0.70至0.95的范围内；在电容形成部分中相邻设置的第一内电极和第二内电极之间的距离小于0.65μm；形成有电容形成部分处的多层主体的厚度大于多层主体的第一侧或第二侧的厚度。

电容形成部分的厚度T1可以是布置在多层主体的中部的最外面的内电极之间的距离。