[发明专利]多层陶瓷电子元件和多层陶瓷电容器有效

专利信息
申请号: 201210165986.9 申请日: 2012-05-25
公开(公告)号: CN102810397B 公开(公告)日: 2017-06-30
发明(设计)人: 金相赫 申请(专利权)人: 三星电机株式会社
主分类号: H01G4/005 分类号: H01G4/005;H01G4/12;H01G4/30
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 代理人: 韩明星
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 多层 陶瓷 电子元件 电容器
【权利要求书】:

1.一种多层陶瓷电子元件,所述多层陶瓷电子元件包括:

多层主体,具有介电层;

多个内电极,设置在多层主体中,并且具有暴露于多层主体的至少一个面的端部,

其中,当T1表示在多层主体的中部相互垂直的两个横截面的交线上布置在最上面的层上的一个内电极与布置在最下面的层上的另一内电极之间的距离,并且T2表示在多层主体的第一侧或第二侧的中部测量的最外面的内电极的端部之间的距离时,T2与T1之比在0.70至0.95的范围内,

形成有电容形成部分处的多层主体的最大厚度D1大于多层主体的暴露内电极的端部的第一侧的厚度D2,并且多层主体的暴露内电极的端部的第一侧的厚度D2与形成有电容形成部分处的多层主体的最大厚度D1之比在0.75至0.97的范围内。

2.如权利要求1所述的多层陶瓷电子元件,其中,T1与T2是在多层主体的同一横截面上测量的。

3.如权利要求1所述的多层陶瓷电子元件,其中,D1在310μm至320μm的范围内。

4.如权利要求1所述的多层陶瓷电子元件,其中,形成有电容形成部分处的多层主体的最大厚度大于多层主体的没有使内电极的端部暴露的横向面的厚度。

5.如权利要求1所述的多层陶瓷电子元件,其中,T1在270μm至280μm的范围内。

6.如权利要求1所述的多层陶瓷电子元件,其中,多层主体的第一侧的最小厚度D4与多层主体的第一侧的最大厚度D3之比在0.78至0.95的范围内。

7.如权利要求6所述的多层陶瓷电子元件,其中,多层主体的第一侧的最小厚度D4形成在不存在内电极的余量部分上。

8.如权利要求1所述的多层陶瓷电子元件,其中,布置在内电极之间的介电层的厚度小于0.65μm。

9.如权利要求1所述的多层陶瓷电子元件,其中,内电极的厚度为0.7μm或更小。

10.一种多层陶瓷电容器,所述多层陶瓷电容器包括:

多层主体,具有第一侧和第二侧;

多个第一内电极和多个第二内电极,设置在多层主体中,并且具有暴露于多层主体的第一侧和第二侧中的至少一侧的端部,

其中,当在多层主体的中部相互垂直的两个横截面的交线上布置在所述多个第一内电极和多个第二内电极中的最上面的层上的一个内电极与布置在所述多个第一内电极和多个第二内电极中的最下面的层上的另一内电极之间的距离为T1,并且布置在多层主体的第一侧或第二侧的最外面的第一内电极的端部或最外面的第二内电极的端部之间的距离为T2时,T2与T1之比在0.70至0.95的范围内;在电容形成部分中相邻设置的第一内电极和第二内电极之间的距离小于0.65μm;形成有电容形成部分处的多层主体的厚度大于多层主体的第一侧或第二侧的厚度,并且多层主体的暴露内电极的端部的第一侧的厚度D2与形成有电容形成部分处的多层主体的最大厚度D1之比在0.75至0.97的范围内。

11.如权利要求10所述的多层陶瓷电容器,其中,T1与T2是在沿着多层主体的长度-厚度方向截取的同一横截面上测量的。

12.如权利要求10所述的多层陶瓷电容器,其中,多层主体的中部的厚度大于多层主体的沿着多层主体的宽度方向的横向面的厚度。

13.一种多层陶瓷电容器,所述多层陶瓷电容器包括:

多层主体,具有三对相对的面;

多个第一内电极和多个第二内电极,设置在多层主体中,并且具有暴露于多层主体的至少一个面的端部;

多个介电层,布置在第一内电极和第二内电极之间,并且具有小于0.65μm的厚度,

其中,当通过叠置所述多个第一内电极和所述多个第二内电极而形成的电容形成部分的厚度为T1,并且布置在多层主体的暴露内电极的端部的一个面上的最外面的第一内电极的端部或最外面的第二内电极的端部之间的距离为T2时,T2与T1之比在0.70至0.95的范围内,

当形成有电容形成部分处的多层主体的最大厚度为D1,并且多层主体的使第一内电极和第二内电极的端部暴露的一个面的厚度为D2时,D2与D1之比在0.75至0.97的范围内。

14.如权利要求13所述的多层陶瓷电容器,其中,多层主体的第一侧的最小厚度D4与多层主体的第一侧的最大厚度D3之比在0.78至0.95的范围内,多层主体的第一侧定义为使内电极的端部暴露的侧面。

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