[发明专利]发光二极管封装及其导线架的制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体元件封装，且特别是涉及一种发光二极管(LED)的封装与制作方法。

背景技术

随着发光二极管(LED)芯片的亮度与发光效率改善，LED更广泛用于照明。由于LED芯片有散热的问题，常导致LED光源的亮度与色彩真实度变差。但若使用陶瓷基材为主的封装方式来封装发光二极管芯片，则会导致LED封装成本提高许多。因此，目前业界企需具良好散热效率且成本较低廉的封装结构。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供一种半导体元件封装。该半导体元件封装包括一导线架，具金属基材、位于该金属基材的上表面的一第一金属层与位于该金属基材的下表面的一第二金属层。该导线架界定出一凹穴具有一凹穴底面部分。该半导体元件封装更包括至少一发光二极管(LED)芯片，设置于且电性连接至该凹穴底面部分的该第一金属层上。该半导体元件封装更包括一封胶体，设置于该第一金属层上，且包覆该LED芯片与至少部分该第一金属层。该第二金属层完全暴露出来。

本还提供一种半导体元件封装。该半导体元件封装包括一导线架，其界定出一凹穴并具有相对的内表面和外表面。该半导体元件封装更包括至少一个发光二极管(LED)芯片，设置在该导线架的该内表面上并电连接到该导线架的该内表面。该半导体元件封装更包括一封胶体，包覆该至少一个LED芯片且至少部分覆盖该导线架的该内表面。该导线架的该外表面没有被任何封胶体覆盖。

本发明还提供一种制作用于半导体元件封装的导线架的方法。该方法包括冲压一平坦金属基底以产生多个凹陷次结构，每一次结构界定有一凹穴，而从其周边延伸有一盘边。该方法更包括在该金属基底的一上表面上形成一第一光致抗蚀剂层，以及在该金属基底的一下表面上形成一第二光致抗蚀剂层。该方法更包括在该第一光致抗蚀剂层中形成一第一光致抗蚀剂图案，以及在该第二光致抗蚀剂层中形成一第二光致抗蚀剂图案。该方法更包括使用该第一和第二光致抗蚀剂图案作为光掩模，在该金属基底的该上表面上没有被该第一光致抗蚀剂图案覆盖的区域形成一第一金属层，以及在该金属基底的该下表面上没有被该第二光致抗蚀剂图案覆盖的区域形成一第二金属层。该方法更包括移除该第一和第二光致抗蚀剂图案以在该第一和第二金属层中形成通道。

在本发明的一实施例中，前述提供该导线架条的步骤包括提供一大致平坦的金属基材并将该金属基材冲压出该些基底单元。形成该第一金属层于该导线架上表面上以及形成该第二金属层于该导线架下表面上。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图作详细说明如下。

附图说明

图1A是本发明的一实施例的一种LED封装结构剖面示意图；

图1B是图1A的LED封装结构上视示意图；

图2是本发明的另一实施例的一种LED封装结构上视示意图；

图3A-图3F是本发明的一实施例的一种导线架单元制造方法各步骤的剖面示意图；

图3B’与图3B”是导线架单元的立体示意图；

图4A-图4I是本发明的另一实施例的一种导线架单元制造方法各步骤的剖面示意图；

图5A-图5F是本发明的一实施例的一种LED封装方法各步骤的剖面示意图；

图5E’是图5E的上视示意图；

图6A-图6F是本发明实施例的LED封装结构上视示意图。

主要元件符号说明

10：导线架

10A、10B、20A：导线架单位

10A'、10A″：次结构

100：基底

100a：上表面

100b：下表面

101A、101A'：凹穴底

101B、101B'、101D：倾斜侧壁

101C：导线接合区

101E：盘边部分

102、104、102'、104'：光致抗蚀剂层

102a、104a、104'a：光致抗蚀剂图案

106、108：金属层

105、105'、107：缺口

120：中央垫

122：周围部分

200：芯片

202：粘着层

204：接点

206：荧光层

210：导线

220：封胶体

20：导线架条

30：焊料

40：主机板

50、50'：封装结构