[发明专利]发光二极管封装及其导线架的制作方法无效

专利信息
申请号: 201210164521.1 申请日: 2012-05-24
公开(公告)号: CN102693972A 公开(公告)日: 2012-09-26
发明(设计)人: 彭胜扬 申请(专利权)人: 日月光半导体制造股份有限公司
主分类号: H01L25/075 分类号: H01L25/075;H01L33/62;H01L33/58
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 陈小雯
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 发光二极管 封装 及其 导线 制作方法
【权利要求书】:

1.一种半导体元件封装,包含:

导线架,包括金属基材、第一金属层位于该金属基材的上表面与第二金属层位于该金属基材的下表面,其中该导线架界定出一凹穴,具有凹穴底面部分;

至少一发光二极管(LED)芯片,设置于且电性连接至该凹穴底面部分的该第一金属层上;以及

封胶体,设置于该第一金属层上,且包覆该LED芯片与至少部分该第一金属层,其中该第二金属层完全暴露出来。

2.如权利要求1所述的半导体元件封装,其中该凹穴底面部分具至少一贯穿开口,该贯穿开口将该凹穴底面部分分隔为两部分,该两部分彼此电性相隔离。

3.如权利要求2所述的半导体元件封装,其中该贯穿开口将该导线架的该凹穴底面部分分为被该贯穿开口所环绕的一中央部分与位于该贯穿开口外的一周围部分。

4.如权利要求1所述的半导体元件封装,还包括一阶梯状凹穴侧壁部分。

5.如权利要求1所述的半导体元件封装,其中该凹穴还具有第一凹穴侧壁部分、水平部分与第二凹穴侧壁部分,而该第一凹穴侧壁部分从该凹穴底面部分以一第一角度向上延伸,该水平部分从该凹穴侧壁部分延伸出去,该第二凹穴侧壁部分从该水平部分以一第二角度向上延伸出去。

6.如权利要求5所述的半导体元件封装,其中该第一角度在140°-170°范围内。

7.如权利要求5所述的半导体元件封装,其中该第二角度在140°-170°范围内。

8.如权利要求5所述的半导体元件封装,还包括一盘边部分,从该第二凹穴侧壁部分延伸出去。

9.一种制作用于半导体元件封装的导线架的方法,该方法包括:

冲压一平坦金属基底以产生多个凹陷次结构,每一次结构界定有一凹穴,而从其周边延伸有一盘边;

在该金属基底的上表面上形成一第一光致抗蚀剂层,以及在该金属基底的下表面上形成一第二光致抗蚀剂层;

在该第一光致抗蚀剂层中形成一第一光致抗蚀剂图案,以及在该第二光致抗蚀剂层中形成一第二光致抗蚀剂图案;

使用该第一和第二光致抗蚀剂图案作为光掩模,在该金属基底的该上表面上没有被该第一光致抗蚀剂图案覆盖的区域形成一第一金属层,以及在该金属基底的该下表面上没有被该第二光致抗蚀剂图案覆盖的区域形成一第二金属层;以及

移除该第一和第二光致抗蚀剂图案以在该第一和第二金属层中形成通道。

10.如权利要求9所述的制作用于半导体元件封装的导线架的方法,其中该第一金属层中的该些通道在位置上对应于该第二金属层中的该些通道。

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