[发明专利]间隔件及其制造方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种封装构造用间隔件及其制造方法。

背景技术

现今，半导体封装产业为了满足各种高密度封装的需求，逐渐发展出各种不同型式的封装设计，其中各种不同的系统封装(system in package，SIP)设计概念常用于架构高密度封装产品。

系统封装中，常需要设计一些间隔件(interposer)用于进行系统封装中各个芯片之间以及芯片与承载件之间的电性连接，间隔件的设计对于系统封装的集成度、散热性与可靠性的影响很大，因此在封装业界对于间隔件的设计与制造一直为一热门的研究课题。

已知的一种间隔件是采用半导体材料，如硅材料，进行制造的。此种硅间隔件的上下表面之间通常制作直通硅穿孔(through silicon via，TSV)，以电性连接后续堆叠的上层芯片至承载件。

现有的制作直通硅穿孔的工艺是对在硅载板的一表面进行选择性蚀刻或以激光方式形成穿孔，然后于穿孔中填充导电材料，最后从硅载板的另外一表面进行研磨使得硅穿孔曝露出来从而形成两个表面之间的电性通路。

然而，所述直通硅穿孔方法制造硅间隔件在实际使用上仍具有下述问题，例如：由于硅材料较脆，不具有延展性，因此硅间隔件很容易在直通硅穿孔制造过程中或者后续的封装工艺中破裂从而导致失效；另外，由于硅是半导体材料，因此在直通硅穿孔制造过程中需要对通孔先进行孔壁绝缘处理后再填入导电材料，从而导致工艺复杂、精度要求很高，并且由于直通硅穿孔工艺的设备以及制造成本很高，因此不易推广。

故，有必要提供一种改良的间隔件及其制造方法，以解决现有技术所存在的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种间隔件及其制造方法，以解决现有技术所存在的间隔件易破裂、通孔需做绝缘处理以及成本较高的问题。

本发明的主要目的在于提供一种间隔件及其制造方法，其中间隔件具有较强的刚性与韧性，以适应对于间隔件的平整度以及抗应力程度的要求，同时工艺简单，且材料与制造成本较低。

为达成本发明的前述目的，本发明一实施例提供一种间隔件的制造方法，其中所述间隔件的制造方法包含步骤：提供一第一临时性载板，所述第一临时性载板上依序形成一黏胶层、一种子层以及一光刻胶层；形成数个通孔贯穿所述光刻胶层，并于所述通孔中曝露出所述种子层；电镀填满所述通孔，以形成数个导电柱；去除所述光刻胶层，曝露出所述种子层；于所述种子层上形成一封胶体覆盖所述种子层以及填在所述导电柱之间，其中所述封胶体具有一第一表面曝露出所述导电柱；并于所述封胶体的第一表面形成一第一图案化线路层及数个第一导电凸块。

再者，本发明另一实施例提供另一种间隔件的制造方法，其中所述间隔件的制造方法包含步骤：提供一第一临时性载板，所述第一临时性载板上依序形成一黏胶层、一种子层以及一光刻胶型封胶体；形成数个通孔贯穿所述光刻胶型封胶体，并于所述通孔中曝露出所述种子层；电镀填满所述通孔，以形成数个导电柱，其中所述光刻胶型封胶体具有一第一表面曝露出所述导电柱；并于所述光刻胶型封胶体的第一表面形成一第一图案化线路层及数个第一导电凸块。

再者，本发明一实施例提供一种间隔件，其中所述间隔件包含：一光刻胶型封胶体、一第一图案化线路层及一第二图案化线路层。所述光刻胶型封胶体具有一第一表面以及一第二表面，包含数个通孔以及数个导电柱，所述通孔贯穿所述第一表面与第二表面，所述导电柱对应填充于所述通孔中。所述第一图案化线路层形成于所述封胶体的第一表面。所述第二图案化线路层形成于所述封胶体的第二表面，所述第二图案化线路层通过所述导电柱电性连接至所述第一图案化线路层，其中所述光刻胶型封胶体包含光刻胶材料、环氧树脂以及填充颗粒，且所述填充颗粒的直径小于两个相邻所述导电柱的间距的三分之一。

与现有技术相比较，本发明的间隔件及其制造方法，这样不但可提高间隔件的刚性与韧性，从而保证制造过程中以及后续封装工艺中的可靠性，同时由于无需对通孔进行绝缘处理，使得制造工艺简单并降低了制造成本。

为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：

附图说明

图1是本发明一实施例间隔件的示意图。

图2是本发明一实施例间隔件以及构成的封装构造的示意图。

图3A至3J是本发明一实施例间隔件的制造方法示意图。

图4A至4G是本发明另一实施例间隔件的制造方法示意图。

具体实施方式