[发明专利]一种梯度铁电薄膜太阳能电池的制备方法有效
申请号: | 201210163042.8 | 申请日: | 2012-05-24 |
公开(公告)号: | CN102651428A | 公开(公告)日: | 2012-08-29 |
发明(设计)人: | 邱建华;丁建宁;袁宁一;陈智慧;王秀琴 | 申请(专利权)人: | 常州大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/032;C23C14/35;C23C14/08 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 楼高潮 |
地址: | 213164 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 梯度 薄膜 太阳能电池 制备 方法 | ||
技术领域
本发明属于半导体材料技术领域,具体涉及一种铁电薄膜太阳能电池的制备方法,尤其是指一种基于梯度BiFeO3薄膜的太阳能电池。
背景技术
在过去几十年中,人们在铁电体这种非中心对称材料中发现了不同于传统p-n结或肖特基结的另一种光伏效应机制,即所谓的铁电光伏效应;利用铁电光伏效应的太阳能电池具有许多优异的特点,例如:电池结构设计简单;光诱导的电压可以不受半导体材料带隙的限制而能产生非常大的电压;产生的光电流正比于铁电极化强度等;因此,铁电材料的光伏效应在光电子和太阳能器件方面具有非常大的应用潜力,但是,由于铁电材料具有相对较宽的带隙和较大的内阻,其产生的短路电流密度和光电转换效率均较低。
近来,研究者们在多铁性材料BiFeO3单晶和薄膜中发现了一个大的光伏效应;较窄的光学带隙(2.2 eV),高的饱和极化强度(90μC/cm2)和大的稳态光电流密度(7.35μA/cm2)使BiFeO3材料在光伏器件方面的应用成为可能,如[T. Choi, S. Lee, Y. J. Choi, V. Kiryukhin, and S. W. Cheong, Science,324, 63 (2009).],此后,对多铁性BiFeO3材料光伏效应的研究吸引了越来越多的关注;Yang等人研究了薄膜厚度对BiFeO3光伏效应的影响 [S. Y. Yang, L. W. Martin, S. J. Byrnes, T. E. Conry, S. R. Basu, D. Paran, L. Reichertz, J. Ihlefeld, C. Adamo, A. Melville, Y. H. Chu, C. H. Yang, J. L. Musfeldt, D. G. Schlom, J. W. Ager III, and R. Ramesh, Appl. Phys. Lett. 95, 062909 (2009).];Jiang等人利用脉冲激光沉积方法在蓝宝石基底上制备了BiFeO3薄膜,研究了氧压力对薄膜微结构、光学性质、电子能带结构的影响[K. Jiang, J. J. Zhu,J. D. Wu, J. Sun, Z. G. Hu, and J. H. Chu, ACS Applied Materials & Interfaces, 3, 4844 (2011).];另有研究表明,采用氧化物作为多晶BiFeO3薄膜的电极,此电容结构比金属电极电容结构具有更大的光伏效应[B. Chen,M. Li, Y. W. Liu, Z. H. Zuo, F. Zhuge, Q. F. Zhan, and R. W. Li, Nanotechnology, 22, 195201 (2011). M. Qin, K. Yao, and Y. C. Liang, Appl. Phys. Lett. 95, 022912 (2009). F. Chen, X. l. Tan, Z. Huang, X. F Xuan, and W. B. Wu, Appl. Phys. Lett. 96, 262902 (2010).];此外,薄膜与基底之间由于晶格不匹配而产生的应力也能够极大地减小BiFeO3薄膜的带隙,从而能提高其光伏效应 [Z. Fu, Z. G. Yin, N. F. Chen, X. W. Zhang, H. Zhang, Y. M. Bai, and J. L. Wu, Phys. Status Solidi RRL, 6, 37 (2012). O. E. González-Vázquez, and J. í?iguez, Phys. Rev. B, 79, 064102 (2009).];虽然BiFeO3薄膜的光伏效应以及基于BiFeO3薄膜太阳能电池的制备已有一些文献报道,但所涉及到的BiFeO3薄膜仅止于单层薄膜,多层光学带隙梯度的BiFeO3薄膜光伏效应的研究还未见报道,更未见梯度BiFeO3薄膜太阳能电池的制备。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的