[发明专利]半导体装置制造用的胶粘剂组合物以及半导体装置制造用的胶粘片

说明书

技术领域

本发明涉及半导体装置制造用的胶粘剂组合物以及半导体装置制造用的胶粘片。

背景技术

近年来，将手机、便携式音频设备用的存储部件芯片（メモリパツケ一ジチツプ）多段层叠而得到的堆叠MCP（Multi Chip Package：多芯片封装）得以普及。另外，随着图像处理技术、手机等的多功能化，正在推进封装的高密度化、高集成化和薄型化。

另一方面，存在如下问题：在半导体制造的工序中从外部向晶片的结晶衬底中混入阳离子（例如，铜离子、铁离子），该阳离子到达在晶片上形成的电路形成面后，电特性下降。另外，存在在制品使用中从电路或金属线产生阳离子，从而电特性下降的问题。

针对上述问题，以往尝试了对晶片的背面进行加工而形成破碎层（应变），通过该破碎层捕捉并除去阳离子的外部去疵法（以下也称为“EG”）或者在晶片的结晶衬底中形成氧沉淀诱生缺陷（酸素析出欠陥），通过该氧沉淀诱生缺陷捕捉并除去阳离子的内部去疵法（以下也称为“IG”）。

但是，随着近年的晶片的薄型化，IG的效果减小，并且造成晶片的破裂或翘曲的背面应变也被除去，从而EG的效果也得不到，从而存在去疵效果不充分的问题。

以往，作为将半导体元件固着到衬底等上的方法，提出了使用热固性糊状树脂（例如，参考专利文献1）的方法、使用将热塑性树脂和热固性树脂组合使用的胶粘片（例如，参考专利文献2）的方法。另外，作为胶粘片，以往提出了使其含有阴离子交换体，以捕捉引起金属线的腐蚀的氯化物离子，从而提高连接可靠性的胶粘片等（例如，参考专利文献3（特别是权利要求1、0044段）、专利文献4（特别是权利要求1、0054段）、专利文献5（特别是权利要求1、0027段））。另外，作为胶粘片，以往提出了通过添加捕捉氯化物离子等的离子捕捉剂，从而提高电压施加时的耐湿热性的粘合/胶粘片（例如，参考专利文献6（特别是权利要求1、0019段、0050段））。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2002-179769号公报

专利文献2：日本特开2000-104040号公报

专利文献3：日本特开2009-256630号公报

专利文献4：日本特开2009-127042号公报

专利文献5：日本特开2010-116453号公报

专利文献6：日本特开2009-203338号公报

发明内容

本发明人进行了广泛深入的研究，结果发现，通过在半导体装置制造用的胶粘剂组合物中添加捕捉阳离子的添加剂，可以捕捉从外部混入的阳离子，可以防止所制造的半导体装置的电特性下降从而提高制品可靠性。但是，使用该半导体装置制造用的胶粘剂组合物制造的半导体装置制造用的胶粘片，在半导体制造中使用时，经历芯片接合工序、丝焊工序、树脂密封工序、回流焊接工序等存在热历史的工序。因此，在经过热历史后离子捕捉性也不下降方面，尚有改善的余地。

本发明鉴于前述问题而创立，其目的在于提供可以抑制经过热历史后的离子捕捉性下降的半导体装置制造用的胶粘片以及可以形成该半导体装置制造用的胶粘片的胶粘剂组合物。

本发明人为了解决前述问题对半导体装置制造用的胶粘剂组合物以及半导体装置制造用的胶粘片进行了研究。结果发现，可以得到一种半导体装置制造用的胶粘片，所述半导体装置制造用的胶粘片通过含有利用热重量分析法测定的失重5%的温度为一定温度以上的络合物形成性有机化合物，能够抑制经过热历史后的离子捕捉性下降，从而完成了本发明。

即，本发明的半导体装置制造用的胶粘剂组合物，其特征在于，至少含有与阳离子形成络合物的络合物形成性有机化合物，所述络合物形成性有机化合物的通过热重量分析法测定的失重5%的温度为180℃以上。

根据前述构成，至少含有与阳离子形成络合物的络合物形成性有机化合物，因此使用该半导体装置制造用的胶粘剂组合物形成的胶粘片，可以捕捉在半导体装置制造的各种工序中从外部混入的阳离子。结果，从外部混入的阳离子难以到达在晶片上形成的电路形成面，可以抑制电特性的下降从而提高制品可靠性。另外，专利文献3~5中公开的胶粘片等，为了捕捉腐蚀铜布线的氯化物离子而添加有阴离子交换体，未公开捕捉阳离子的技术。另外，专利文献6中公开的粘合/胶粘片，为了提高施加电压时的耐湿热性而添加捕捉氯化物离子的离子捕捉剂，未公开捕捉阳离子的技术。