[发明专利]一种基于自对准双图案的半导体制造方法有效
| 申请号： | 201210162459.2 | 申请日： | 2012-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN103426809A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;张城龙 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 对准 图案 半导体 制造 方法 | ||
1.一种基于自对准双图案的半导体制造方法，所述方法包括：
在半导体衬底上方形成的低k材料或超低k材料层上方形成含硅掩膜层；
在该含硅掩膜层上方形成不含氮的氧化物掩膜层；
在该不含氮的氧化物掩膜层上方形成金属掩膜层；
在该金属掩膜层上方形成氧化物掩膜层；
图案化所述氧化物掩膜层；
在所述图案化了的氧化物掩膜层和所述金属掩膜层上沉积氮化物，然后对该氮化物进行蚀刻，以在所述氧化物掩膜层的侧壁形成间隔壁；
进行一端切步骤，以去除所述氧化物掩膜层两端的氮化物间隔壁；
沉积一氧化物，以填充所述氮化物间隔壁之间的空隙；
去除所述氮化物间隔壁。
2.根据权利要求1所述的基于自对准双图案的半导体制造方法，其特征在于，所述金属掩膜层选用TiN、BN或Cu3N材料。
3.根据权利要求1所述的基于自对准双图案的半导体制造方法，其特征在于，图案化所述氧化物掩膜层包括通过单光阻或三层图案方法进行蚀刻的步骤。
4.根据权利要求1所述的基于自对准双图案的半导体制造方法，其特征在于，所述端切步骤包括：在所述半导体衬底上沉积光阻层，图案化所述光阻层以露出所述氧化物掩膜层两端的氮化物间隔壁，采用干法刻蚀去除所述露出的氮化物间隔壁。
5.根据权利要求1所述的基于自对准双图案的半导体制造方法，其特征在于，沉积所述氧化物的步骤之后还包括对所述氧化物进行一化学机械研磨以露出所述氮化物间隔壁的步骤。
6.根据权利要求1所述的基于自对准双图案的半导体制造方法，其特征在于，去除所述氮化物间隔壁选用湿法或干法刻蚀。
7.根据权利要求1所述的基于自对准双图案的半导体制造方法，其特征在于，所述含硅掩膜层为SiC层或SiN层。
8.根据权利要求1所述的基于自对准双图案的半导体制造方法，其特征在于，所述氮化物为SiN。
9.根据权利要求1所述的基于自对准双图案的半导体制造方法，其特征在于，去除所述氮化物间隔壁之后还包括以所述氧化物为掩膜，干法蚀刻所述金属掩膜层的步骤。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
