[发明专利]具有复制偏置方案的电流感测放大器有效
申请号: | 201210161551.7 | 申请日: | 2012-05-23 |
公开(公告)号: | CN102800349A | 公开(公告)日: | 2012-11-28 |
发明(设计)人: | D.米勒;T.尼尔施尔 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | G11C7/06 | 分类号: | G11C7/06 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 王岳;李家麟 |
地址: | 德国瑙伊比*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 复制 偏置 方案 流感 放大器 | ||
1.一种用于从耦接到存储器单元的感测线感测数据值的感测放大器,所述感测放大器包括:
第一共源共栅晶体管,布置在第一电流路径上并且耦接到所述感测线;以及
预充电电路,包括附加共源共栅晶体管,所述附加共源共栅晶体管布置在与所述第一电流路径并联的附加电流路径上,其中所述预充电电路被配置成建立所述感测线上的预充电条件。
2.根据权利要求1所述的感测放大器,其中所述感测放大器包括单端输出并且进一步包括:
第一电流源晶体管,与所述第一共源共栅晶体管串联并且被配置成沿所述第一电流路径提供第一电流;
第一电流吸收晶体管,与所述第一共源共栅晶体管串联;
其中所述第一共源共栅晶体管设置在所述第一电流路径上的所述第一电流源晶体管和所述第一电流吸收晶体管之间。
3.根据权利要求1所述的感测放大器,其中所述感测放大器包括差分输出并且进一步包括:
第二共源共栅晶体管,在第二电流路径上并且耦接到参考感测线;
第一电流源晶体管和第二电流源晶体管,被配置成分别沿第一电流路径和第二电流路径提供第一电流和第二电流;
第一电流镜晶体管和第二电流镜晶体管,分别与第一共源共栅晶体管和第二共源共栅晶体管串联布置并且分别布置在第一电流路径和第二电流路径上,其中各个第一共源共栅晶体管和第二共源共栅晶体管设置在各个第一电流源晶体管和第二电流源晶体管与各个第一电流镜晶体管和第二电流镜晶体管之间。
4.根据权利要求1所述的感测放大器,其中所述第一共源共栅晶体管和所述附加共源共栅晶体管具有大致相等的尺寸或者具有限定的比。
5.根据权利要求4所述的感测放大器,进一步包括:
偏置电路,配置成向所述第一共源共栅晶体管和所述附加共源共栅晶体管的各个栅极递送偏置。
6.根据权利要求1所述的感测放大器,其中所述预充电电路进一步包括:
预充电装置,连接到所述感测线;以及
反馈路径,将所述感测线耦接到所述预充电装置的控制端子。
7.根据权利要求6所述的存储器装置,进一步包括:
上拉电流元件,具有耦接到供电电压的源极并且具有耦接到所述预充电装置的所述控制端子的漏极;
其中所述反馈路径包括开关元件。
8.根据权利要求7所述的感测放大器,其中所述开关元件包括传输门或晶体管中的至少一个。
9.根据权利要求3所述的感测放大器,进一步包括第二级感测放大器,包括:
一对交叉耦接的反相器,具有与其相关联的一对互补存储节点。
10.根据权利要求9所述的感测放大器,进一步包括:
锁存器,具有耦接到所述第二级感测放大器的一对互补存储节点的输入。
11.根据权利要求3所述的感测放大器,进一步包括:
第三电流源晶体管,被配置成沿第三电流路径提供第三电流,其中所述第三电流路径与第一电流路径和第二电流路径并联;
第三共源共栅晶体管,与所述第三电流源晶体管串联布置;以及
第三电流镜晶体管,与所述第三共源共栅晶体管串联布置,其中所述第三共源共栅晶体管布置在所述第三电流源晶体管和所述第三电流镜晶体管之间。
12.根据权利要求11所述的感测放大器,进一步包括:
第一个第二级感测放大器,包括分别耦接到第一电流路径和第二电流路径的第一感测线和第一参考感测线;
第二个第二级感测放大器,包括分别耦接到第一电流路径和第三电流路径的第二感测线和第二参考感测线。
13.根据权利要求11所述的感测放大器,其中所述感测放大器被配置成感测与耦接到所述感测放大器的存储器元件的至少三个不同的数据状态相关联的至少三个信号电平。
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