[发明专利]电位调控离心法回收单晶和多晶硅切割废料中硅粉的方法

权利要求书

1.一种电位调控离心法回收单晶和多晶硅切割废料中硅粉的方法，其特征

在于，它包括以下步骤：

切割废料预处理

在单晶硅和多晶硅切割废料中加入水，并加入少量酸，搅拌3～4小时后，进行过滤，烘干并研磨分散硅和碳化硅的混合粉末；

（2）调控混合粉末的表面电位

将硅和碳化硅的混合粉末按照一定的液固比3～10：1加入水，并加酸或碱调节pH值为6～9，搅拌均匀；

（3）离心分离过程

将混合液体离心若干次后，得到上下分层的样品并将上层富硅相悬液和下层富碳化硅的沉积物分别取出；

（4）调整富硅相的表面电位以快速回收硅粉

离心后得到的上层悬浮液为富硅相，加入稀酸调节pH值至1～3，硅粒子团聚成较大颗粒而迅速沉降，过滤烘干后得到硅粉。

2.按照权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤（3）中离心次数为3～5次，下层的富碳化硅的沉积物重返步骤（1）循环使用。

3.按照权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤（1）-（4）均在常温下进行。