[发明专利]光刻设备和部件

说明书

技术领域

本发明涉及一种光刻设备和光刻设备中的部件。

背景技术

光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。光刻设备可用于例如制造集成电路(IC)。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成在所述IC的单层上的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。典型地，经由成像将所述图案转移到在所述衬底上设置的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。通常，单个衬底将包含连续形成了图案的相邻目标部分的网络。

光刻技术被广泛认为是制造集成电路(IC)和其他器件和/或结构的关键步骤之一。然而，随着使用光刻技术所制造的特征的尺寸变得越来越小，对于实现将要制造的微型的IC或其他器件和/或结构来说，光刻技术正变成更加关键的因素。

图案印刷的极限的理论估计可以由分辨率的瑞利法则给出，如等式(1)所示：

CD=k1*λNA---(1)]]>

其中λ是所用辐射的波长，NA是用以印刷图案的投影系统的数值孔径，k₁是依赖于工艺的调节因子，也称为瑞利常数，CD是印刷的特征的特征尺寸(或临界尺寸)。由等式(1)可知，特征的最小可印刷尺寸的减小可以由三种方式来实现：通过缩短曝光波长λ、通过增大数值孔径NA或通过减小k1的值。

为了缩短曝光波长，并因此减小最小可印刷尺寸，已经提出使用极紫外(EUV)辐射源。EUV辐射是具有5-20nm范围内的波长的电磁辐射，例如具有在13-14nm范围内的波长的电磁辐射，或例如具有在5-10nm范围内的波长，诸如6.7nm或6.8nm的波长的电磁辐射。可用的源包括例如激光产生的等离子体源、放电等离子体源或基于由电子存储环的同步加速器辐射的源。

通过使用等离子体可以产生EUV辐射。用于产生EUV辐射的辐射系统可以包括用于激发燃料以提供等离子体的激光器，和用于容纳等离子体的源收集器模块。可以例如通过引导激光束到燃料上，例如合适材料(例如锡)的颗粒或合适气体或蒸汽的流(例如Xe气体或Li蒸汽)，产生等离子体。所形成的等离子体发射输出辐射，例如EUV辐射，其通过使用辐射收集器进行收集。辐射收集器可以是反射镜式的正入射辐射收集器，其接收辐射并将辐射聚焦为束。源收集器模块可以包括包封结构或腔，其布置成提供真空环境以支持等离子体。这种辐射系统通常称为激光产生等离子体(LPP)源。

可以期望使用现有技术未知的设备来促进至光刻设备的部件的热传递、来自部件的热传递或部件之间的热传递。

发明内容

根据本发明的一个方面，提供了一种光刻设备，包括：衬底台，构造用以保持衬底；和投影系统，配置成将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上；其中在使用中处在真空环境中的光刻设备的部件的表面设置有重复结构，所述重复结构配置成增加所述表面的有效热适应系数(thermal accommodation coefficient)。

根据本发明的一个方面，提供了一种光刻设备部件，具有设置有结构的表面，所述结构满足下式：

f2.041+0.47·R-1.96>0.05]]>

其中f是由空间占据的所述结构的分数，R是由所述结构的深度除以所述结构的宽度。

所述结构可以具有超过0.2的纵横比。

所述结构可以是重复结构。