[发明专利]一种减少ALD工艺管路颗粒的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种减少管路颗粒的方法，尤其涉及一种减少ALD工艺管路颗粒的方法。

背景技术

原子层沉积（Atom layer deposition，简称ALD）工艺由于其优异的台阶覆盖率，精确的厚度控制，较低的反应温度，良好的薄膜性能等，而被认为是一种较大潜力的薄膜制备工艺。由图1所示，在气源瓶中插入进气管路1与出气管路2，并在气源瓶3中注入反应前驱液体4，进气管路1的位于反应前驱液体4的上方，而出气管路2位于反应前驱液体4中，出气管路2远离气源瓶3的一端连接反应腔5，此工艺实现了接近单原子层厚度的生成物沉积，但由于其反复的进行反应气体的开关（如要生成10纳米的薄膜，大约需要反复开关100次）和使用液体前驱体气源，容易形成管路的气体残余和聚积（特别是在管路上低温的点上）。如图3所示，为薄膜沉积中的一个反应周期的工艺的示意图，随着聚积不断增加，会周期性的产生颗粒问题。然而，这种颗粒的产生在后序的湿法清洗中是不可以去除的。从而需要进行气源更换和管路清洗。

如图2A-2C所示，为管路中形成残余聚积的颗粒过程示意图，随着管路中气线上有少量的残余的产生，残余颗粒不断积聚变大，最后掉入反应腔内。                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                              

发明内容    

发明公开了一种减少ALD工艺管路颗粒的方法。用以解决现有技术中由于其反复的进行反应气体的开关和使用液体前驱体气源，产生管路的气体残余和聚积，并随着管路的气体残余和聚积的不断增加会产生颗粒问题。

为实现上述目的，发明采用的技术方案是：