[发明专利]制造半导体模块的方法以及半导体模块有效
申请号: | 201210158325.3 | 申请日: | 2012-05-11 |
公开(公告)号: | CN102779762A | 公开(公告)日: | 2012-11-14 |
发明(设计)人: | 阪井孝江;村上雅启;栉野正彦;天野义久;得能真一 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/60;H01L23/31;H01L23/48 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 张欣 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 半导体 模块 方法 以及 | ||
背景技术
1.发明领域
本发明涉及制造用树脂密封的半导体模块的方法以及半导体模块。
2.相关技术的描述
诸如移动电话之类的电子器件的半导体模块通常具有含有高频半导体器件以及形成于其中的外围电路的高频电路。这需要阻断(屏蔽)高频噪声等,且因此这样的半导体模块被完全地以金属屏蔽外壳覆盖。另一方面,随着最近对于紧凑电子设备的日益增长的需求,存在对于越来越小以及越来越薄的半导体模块的日益增长的需求。
然而,在常规半导体模块中,需要在模块衬底上提供用于附连金属屏蔽外壳的小块(岸面),这是实现更小和更薄的模块的阻碍。
为了克服这个阻碍,已经提出了没有金属屏蔽外壳的改进的半导体模块(较少金属屏蔽外壳的结构)。接着,将参考相应附图而给出对于改进的半导体模块的描述。图34是常规半导体模块的示意剖面图,且图35到39是说明制造图34中所示的半导体模块的工艺的示意剖面图。
如图34中所示,改进的半导体模块G包括模块衬底91、电子组件92(诸如安装在模块衬底的顶部表面(组件安装表面)上的半导体器件、电容器和电阻器)、密封树脂层93(可由,例如,环氧树脂制成并密封电子组件92)、以及形成在密封树脂层93表面上的外部屏蔽94。
信号导体911被形成在模块衬底91的组件安装表面上,且电子组件92经由接合引线Bw连接至信号导体911或经由其端子而直接连接至信号导体911。在模块衬底内,形成有接地线913,其包括在其下表面中的暴露部分。外部屏蔽94由导电材料形成来覆盖密封树脂层93的顶部和侧部表面。外部屏蔽94在其面对模块衬底91的侧部部分处与接地线913相接触。通过与接地线913相接触,外部屏蔽94被接地。以此方式,可能阻碍(提供屏蔽于)由于例如电磁场或静电所引起的不利影响(诸如高频噪声)。
该改进的半导体模块以如下工艺被制造。集合衬底910被切开为模块衬底91之前,执行安装步骤来将电子组件92安装在集合衬底910的顶部表面上(见图35)。然后,通过使用诸如印刷法之类的常规已知方法,执行密封步骤来形成密封树脂层93,其用诸如环氧树脂之类的绝缘树脂密封集合衬底910的顶部表面(见图36)。此处,集合衬底910具有以使多个单独模块部分(将被切开并被划分为模块衬底91)设置于其内的结构。
然后,执行第一切割步骤以从密封树脂层93的顶部表面侧通过使用切割刀片来形成密封树脂层93中的裂缝,对应于单独模块部分之间的边界。在所述第一切割步骤中,裂缝形成在密封树脂层93中,且同时,将集合衬底910的一些部分切去来将形成在集合衬底910中的接地线910暴露于顶部表面侧(见图37)。
通过使用诸如印刷方法之类的常规已知方法,将导电胶装填入形成于密封树脂层93中的裂缝中(装填步骤)。此时,装填在裂缝中的导电胶与集合衬底910中的接地线913相接触。进一步,其中形成了裂缝(被填充了导电胶)的密封树脂层93的顶部表面被涂层有导电胶(涂层步骤,见图38)。如图38中所示,通过被装填入裂缝且被应用于涂层密封树脂层93的顶部表面从而被与接地线913相接触,导电胶被接地。注意,导电胶层用作半导体模块G的外部屏蔽94。
执行第二切割步骤,通过使用薄于裂缝宽度的切割刀片(该切割刀片薄于在第一切割步骤中使用的切割刀片),来在模块之间的边界部分处(即,在被填充了导电胶的每一个裂缝的中间部分处)切开集合衬底910(见图39)。因此,由于在第二切割步骤中所使用的切割刀片薄于在第一切割步骤中所使用的切割刀片,在第二切割步骤之后在所完成的半导体模块G(见图34)的侧表面上形成外部屏蔽94,这使得可能安全地接地外部屏蔽94(见JP-A-2004-172176)。
图40是示出集合衬底在第二切割步骤中被切开为半导体模块之前的集合衬底的平面图。通过使用切割刀片(第二切割步骤)来切开集合衬底910而制造多个半导体模块G,其中模块被二维地设置。
然而,在这个方法中制造半导体模块(其中在第一切割步骤中形成的裂缝被填充导电胶)时,切割刀片和导电胶在第二切割步骤中在较大面积上彼此接触。充填至裂缝中的导电胶含有金属组分,且这在切割刀片在第二切割步骤中切开导电胶时,导致在切割刀片上施加较重负担。
此外,这导致源于切割刀片消除或切断外部屏蔽(由导电胶制成)时的缺陷的很大风险,由于与切割刀片的摩擦,外部屏蔽可能被剥落或切去。此外,在第二切割步骤中移除了大量导电胶。这些不便之处易于导致低产量和高成本。
发明内容
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于夏普株式会社,未经夏普株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210158325.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:运输状态自动跟踪方法及系统
- 下一篇:蛇管翻滚式太阳能干燥器
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造