[发明专利]制造半导体模块的方法以及半导体模块有效

专利信息
申请号: 201210158325.3 申请日: 2012-05-11
公开(公告)号: CN102779762A 公开(公告)日: 2012-11-14
发明(设计)人: 阪井孝江;村上雅启;栉野正彦;天野义久;得能真一 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: H01L21/56 分类号: H01L21/56;H01L21/60;H01L23/31;H01L23/48
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 张欣
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 制造 半导体 模块 方法 以及
【权利要求书】:

1.一种制造半导体模块的方法,包括:

安装步骤,用于在集合衬底的顶部表面的独立模块部分上安装电子组件;

密封步骤,用于用绝缘密封树脂层密封安装了电子组件的所述顶部表面;

洞孔形成步骤,用于形成从所述密封树脂层的顶部表面延伸至提供在所述集合衬底处的接地引线的洞孔;

成膜步骤,用于形成由导电材料制成的导电膜从而覆盖至少所述密封树脂层的顶部表面、所述洞孔的内部表面、以及接地线;以及

分离步骤,用于将独立模块部分所包括的多个独立模块部分彼此分离。

2.如权利要求1所述的制造半导体模块的方法,

其特征在于,其中

其中在所述独立模块部分中设置有接地引线的衬底被用作所述集合衬底。

3.如权利要求1或2所述的制造半导体模块的方法,

其特征在于,其中

其中为每一个所述独立模块部分而提供多个接地引线作为接地引线的衬底被用作所述集合衬底;且

所述洞孔形成步骤形成达到所述接地引线的多个洞孔。

4.如权利要求1至3中任一项所述的制造半导体模块的方法,

其特征在于,其中

其中在最外面引线层中设置有接地引线的衬底被用作所述集合衬底。

5.如权利要求4所述的制造半导体模块的方法,

其特征在于,其中

其中在所述接地引线上形成阻焊剂的衬底被用作所述集合衬底;且

所述洞孔形成步骤中,所述密封树脂层和所述阻焊剂被从所述洞孔中移除。

6.如权利要求1至3中任一项所述的制造半导体模块的方法,

其特征在于,其中

其中在内引线层中设置有接地引线的衬底被用作所述集合衬底。

7.如权利要求6所述的制造半导体模块的方法,

其特征在于,其中

其中在形成所述洞孔的区域处在所述接地引线和所述密封树脂层之间没有其他引线形成的衬底被用作所述集合衬底。

8.一种制造半导体模块的方法,包括:

安装步骤,用于在集合衬底的顶部表面的独立模块部分上安装电子组件;

密封步骤,用于用绝缘密封树脂层密封其上安装了电子组件的所述顶部表面;

洞孔形成步骤,用于形成穿透所述集合衬底与所述密封树脂层的洞孔;

成膜步骤,用于形成由导电材料制成的导电膜从而覆盖所述密封树脂层的顶部表面和所述洞孔的内部表面;以及

分离步骤,用于将独立模块部分所包括的多个独立模块部分彼此分离。

9.如权利要求8所述的制造半导体模块的方法,

其特征在于,其中

所述洞孔形成步骤形成洞孔以使所述洞孔穿透集合衬底的没有引线形成的部分。

10.如权利要求1至9中任一项所述的制造半导体模块的方法,

其特征在于,其中

所述洞孔形成步骤形成多个洞孔作为所述洞孔,以使所述多个洞孔中的至少一个被形成于所述独立模块部分的边缘处。

11.如权利要求10所述的制造半导体模块的方法,

其特征在于,其中

所述独立模块部分具有矩形形状;且

所述洞孔形成步骤在所述独立模块部分的角落处形成所述多个洞口的至少一个。

12.如权利要求10或11所述的制造半导体模块的方法,

其特征在于,其中

所述洞孔形成步骤跨所述多个所述独立模块部分中的两个或更多个而形成所述多个洞口的至少一个。

13.如权利要求1至12中任一项所述的制造半导体模块的方法,其特征在于,还包括

凹槽形成步骤,在所述密封树脂层中形成具有未达到所述集合衬底的厚度的凹槽,

所述凹槽形成步骤在所述密封步骤之后但在所述成膜步骤之前被执行。

14.如权利要求1至12中任一项所述的制造半导体模块的方法,其特征在于,还包括

凹槽形成步骤,在所述密封树脂层中形成具有达到所述集合衬底内部的厚度的凹槽,

所述凹槽形成步骤在所述密封步骤之后但在所述成膜步骤之前被执行。

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