[发明专利]一种MOSFET器件以及制备方法有效
| 申请号： | 201210158060.7 | 申请日： | 2012-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN103426761A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 周晓君 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mosfet 器件 以及 制备 方法 | ||
1.一种MOSFET器件的制备方法，包括以下步骤：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底上形成栅极结构以及位于所述栅极结构两侧衬底中的LDD区；
在所述栅极结构的两侧形成栅极间隔壁；
蚀刻所述衬底以在所述衬底中形成源漏区的部位形成沟槽；
在所述沟槽的表面形成氧化物绝缘层；
在所述氧化物绝缘层上沉积氧化物掩膜层；
在所述的氧化物掩膜层上沉积硅氧化物；
回刻所述硅氧化物，仅保留位于所述沟槽临近所述栅极一侧的侧壁上的所述硅氧化物；
以所述硅氧化物为掩膜，各向同性蚀刻所述氧化物掩膜层；
采用湿法蚀刻去除所述硅氧化物以及未被所述氧化物掩膜层遮盖的所述氧化物绝缘层；
去除残留的所述氧化物掩膜层；
在所述沟槽内外延生长硅；
形成源漏区。
2.根据权利要求1所述的MOSFET器件的制备方法，其特征在于，所述的栅极结构包括在半导体衬底上的一层氧化物绝缘层以及位于该氧化物绝缘层上的多晶硅层。
3.根据权利要求1所述的MOSFET器件的制备方法，其特征在于，在形成所述栅极结构之前还包括阱和阈值电压调整注入的步骤。
4.根据权利要求1所述的MOSFET器件的制备方法，其特征在于，所述沟槽的深度为800-2000埃。
5.根据权利要求1所述的MOSFET器件的制备方法，其特征在于，所述氧化物绝缘层为通过高温氧化所述半导体衬底表面形成的50-300埃的绝缘层。
6.根据权利要求1所述的MOSFET器件的制备方法，其特征在于，所述氧化物掩膜层为氮化硅层，所述氮化硅层的厚度为100-500埃。
7.根据权利要求1所述的MOSFET器件的制备方法，其特征在于，所述硅氧化物是通过高密度等离子体化学汽相淀积得到的，厚度为2000-5000埃。
8.根据权利要求1所述的MOSFET器件的制备方法，其特征在于，所述湿法刻蚀选用氢氟酸进行。
9.根据权利要求1所述的MOSFET器件的制备方法，其特征在于，去除残留的所述氧化物掩膜层时选用热磷酸进行湿法蚀刻。
10.根据权利要求1所述的MOSFET器件的制备方法，其特征在于，在形成所述源漏区后还包括在所述源漏区上方形成硅化物层的步骤。
11.一种根据权利要求1至10之一所述的方法制备得到的MOSFET器件，其包括形成于源漏区相对侧面的绝缘层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
