[发明专利]铝线条返工方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体元件制造方法，特别是涉及一种铝线条的返工方法。

背景技术

半导体元件的制造工艺十分复杂，通常需要经过数百个工艺流程才能完成一个产品的生产。其中，铝线条条常常作为器件层及外部金线的连接线。在较大线宽的半导体器件中一般有一层到两层铝线条，在一些较小线宽的半导体器件中，铝线条的层数可能会增加到七层或者八层。因此，其工艺过程在半导体生产过程中起着至关重要的作用。然后，在铝线条生长过程中，会出现铝线条生长不合格的现象。例如，出现重复工艺，即铝线条重复生长。这样就会导致产品良率低或者报废，造成资源的浪费，增加制造成本。

发明内容

基于此，有必要提供一种铝线条返工方法，可用于晶圆生产过程中产生铝线条重复工艺后的返工，以减少浪费，降低成本。

一种铝线条返工方法，所述铝线条返工方法包括如下步骤：去除晶圆表面上的铝线条，修复晶圆表面，补长铝线条。

在其中一个实施例中，所述去除晶圆表面上的铝线条的步骤采用铝线条腐蚀工艺。

在其中一个实施例中，所述铝线条腐蚀工艺的工艺时间是正常对铝线条进行腐蚀工艺的工艺时间的2.5~3.5倍。

在其中一个实施例中，所述铝线条返工方法还包括铝线条腐蚀工艺后的过腐蚀工艺。

在其中一个实施例中，所述修复晶圆表面的步骤是采用化学机械抛光的方法。

在其中一个实施例中，所述化学机械抛光的方法作用于晶圆表面的时间为5~10秒。

在其中一个实施例中，所述铝线条返工方法还包括铝线条补长后的水洗工艺。

在其中一个实施例中，所述铝线条返工方法还包括水洗工艺后的生长氮氧化硅工艺和生长氮氧化硅后的水洗工艺。

在其中一个实施例中，所述生长氮氧化硅工艺是采用化学气相沉积的方法。

在其中一个实施例中，所述补长铝线条的工艺是采用物理气相沉积的方法。

上述铝线条返工方法通过先去除晶圆表面上的铝线条，然后修复晶圆表面，最后补长铝线条的步骤来实现铝线条的返工，以避免出现铝线条重复工艺的晶圆的报废，达到减少浪费，降低成本的目的。

附图说明

图1为一个实施例的铝线条工艺过程中出现铝线条重复工艺时的工艺流程图；

图2为图1出现重复工艺后的铝线条返工方法流程图。

具体实施方式

本发明的一个实施方式提供一种可用于晶圆生产过程中产生铝线条重复工艺后的铝线条返工方法，该铝线条返工方法包括如下步骤：

去除晶圆表面上的铝线条，修复晶圆表面，补长铝线条。

经过上述步骤即可达到对重复工艺的铝线条进行返工的目的。从而避免出现铝线条重复工艺的晶圆的报废，达到减少浪费，降低成本的目的。

请参考图1，图1显示在晶圆表面生长铝线条的过程中出现了铝线条重复工艺。具体介绍如下。

在半导体制造流程中，经过一系列工艺流程，而到达生长铝线条的工艺流程。

在铝线条生长过程中，首先进行步骤S110，生长铝线条。此处，该步骤S110是在晶圆表面采用物理气相沉积的方法淀积一层铝金属层。该层铝金属层可以经过后续的图案化而形成金属线，这样的金属线可以作为器件层间的连线。

然后进行步骤S120，水洗。此处，该步骤S120一般是采用去离子水对晶圆表面进行清洗，使晶圆表面清洁，这样有利于提高可靠性及为后续的工序做准备。

接着，在正常的工艺流程中出现了步骤S130，铝线条重复生长。该步骤S130可能是操作错误或者其它原因造成的。是没有必要的错误步骤。

然后，进行步骤S140，生长氮氧化硅。该步骤S140例如是采用化学气相沉积的方法在晶圆表面生长一层氮氧化硅。此处不限定为氮氧化硅，在其它实施例中，也可以为氮化硅或者氧化硅等。

最后，进行步骤S150，水洗。该步骤S150也是采用去离子水对晶圆表面进行清洗，以利于后续工艺流程的进行。

至此，铝线条生长工艺结束。如果没有步骤S130，该铝线条生长工艺是没必要返工的。因为步骤S130的存在，导致铝线条重复工艺。这样的晶圆如果不进行返工处理，可能会导致产品的报废。

下面将针对该出现铝线条重复工艺的晶圆详细描述一下其返工流程。

请参考图2，铝线条返工方法主要包括如下步骤。

步骤S210，去除晶圆表面上的铝线条。该步骤S210可以采用铝线条腐蚀工艺以将晶圆表面上生长的铝去掉，使晶圆回到未生长铝线条时的状态，即回到未进行步骤S110时的状态。