[发明专利]铝线条返工方法有效
| 申请号： | 201210157855.6 | 申请日： | 2012-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN103426812A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 闵炼锋;刘长安 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/02 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 线条 返工 方法 | ||
1.一种铝线条返工方法，其特征在于，所述铝线条返工方法包括如下步骤：
去除晶圆表面上的铝线条，
修复晶圆表面，
补长铝线条。
2.根据权利要求1所述的铝线条返工方法，其特征在于，所述去除晶圆表面上的铝线条的步骤采用铝线条腐蚀工艺。
3.根据权利要求2所述的铝线条返工方法，其特征在于，所述铝线条腐蚀工艺的工艺时间是正常对铝线条进行腐蚀工艺的工艺时间的2.5~3.5倍。
4.根据权利要求3所述的铝线条返工方法，其特征在于，所述铝线条返工方法还包括铝线条腐蚀工艺后的过腐蚀工艺。
5.根据权利要求1所述的铝线条返工方法，其特征在于，所述修复晶圆表面的步骤是采用化学机械抛光的方法。
6.根据权利要求5所述的铝线条返工方法，其特征在于，所述化学机械抛光的方法作用于晶圆表面的时间为5~10秒。
7.根据权利要求1至6中任一项权利要求所述的铝线条返工方法，其特征在于，所述铝线条返工方法还包括铝线条补长后的水洗工艺。
8.根据权利要求7所述的铝线条返工方法，其特征在于，所述铝线条返工方法还包括水洗工艺后的生长氮氧化硅工艺和生长氮氧化硅后的水洗工艺。
9.根据权利要求8所述的铝线条返工方法，其特征在于，所述生长氮氧化硅工艺是采用化学气相沉积的方法。
10.根据权利要求1至6中任一项权利要求所述的铝线条返工方法，其特征在于，所述补长铝线条的工艺是采用物理气相沉积的方法。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
