[发明专利]振铃抑制电路

权利要求书

1.一种振铃抑制电路，用于抑制在通过传输线(3)传输差分信号中生成的振铃，所述传输线(3)由一对高电势侧信号线(3P)和低电势侧信号线(3N)形成，所述振铃抑制电路包括：

电压驱动型第一和第二线间切换元件(4，5)，其串联连接在该对信号线之间；以及

控制部(11，14，22，22a)，用于当检测到所述差分信号的电平发生变化时，将所述第一和第二线间切换元件同时导通一固定时间段，

其中所述控制部连接到所述传输线以及所述第一和第二线间切换元件的控制端子，并且响应于检测到所述差分信号的电平变化，所述控制部通过使所述第一和第二线间切换元件导通来降低所述高电势侧信号线和所述低电势侧信号线之间的阻抗，

其中所述切换元件(4，5)是MOSFET，其具有导通电阻，

当所述切换元件导通时，所述信号线(3P，3N)经由所述切换元件的导通电阻来连接以降低所述阻抗，

其中所述控制部(11，14，22，22a)包括：

逆变电路(9，13，21，21a)，用于逆变所述差分信号的电平；以及

延迟电路(8，8a，17)，用于持续所述固定时间段来延迟所述差分信号的所述变化，

所述第一和第二线间切换元件中的一个通过所述逆变电路接通，并且所述第一和第二线间切换元件中的另一个通过所述延迟电路关断，

其中：所述逆变电路(9，13，21，21a)包括电压驱动型控制切换元件(9，13)，其具有连接到该对信号线之一的电势参考侧导电端子、如果所述差分信号具有高电平则以导电状态进行连接的控制端子、以及连接到所述第一和第二线间切换元件之一的所述控制端子的非参考侧导电端子。

2.根据权利要求1所述的振铃抑制电路，其中：

所述延迟电路(8，8a，17)包括连接到该对信号线的电阻器(7)和电容器(6)的串联电路，所述串联电路在所述电阻器和所述电容器的公共连接点处连接到所述第一和第二线间切换元件的另一个的所述控制端子。

3.根据权利要求2所述的振铃抑制电路，其中：

所述控制切换元件(9，13)为N-沟道MOSFET(9)，其具有连接到所述低电势侧信号线的源极、经由电阻器(10)被上拉并且连接到所述第一和第二线间切换元件的所述之一的所述控制端子的漏极、以及连接到所述高电势侧信号线的栅极。

4.根据权利要求2所述的振铃抑制电路，其中：

所述控制切换元件(9，13)为N-沟道MOSFET(9)，其具有连接到所述低电势侧信号线的源极、以及经由电阻器(10)被上拉并且连接到所述第一和第二线间切换元件的所述之一的所述控制端子的漏极；

所述逆变电路(9，13，21，21a)包括连接在所述高电势侧信号线和所述低电势侧信号线之间的电阻器(18)和电容器(19)的串联电路(21，21a)，所述串联电路在所述电阻器和所述电容器之间的公共连接点处连接到所述N-沟道MOSFET的栅极。

5.根据权利要求4所述的振铃抑制电路，其中：

所述逆变电路(9，13，21，21a)还包括二极管(20)，所述二极管(20)并联连接到所述电阻器并且在所述低电势侧信号线的一侧上具有阳极。

6.根据权利要求2所述的振铃抑制电路，其中：

所述控制切换元件(9，13)为P-沟道MOSFET(13)，其具有连接到所述高电势侧信号线的源极、经由电阻器(10)被下拉并且连接到所述第一和第二线间切换元件中的所述另一个的所述控制端子的漏极、以及连接到所述低电势侧信号线的栅极。

7.根据权利要求2所述的振铃抑制电路，其中：

所述控制切换元件(9，13)为P-沟道MOSFET(13)，其具有连接到所述高电势侧信号线的源极，以及经由电阻器(10)被下拉并且连接到所述第一和第二线间切换元件中的所述另一个的所述控制端子的漏极；

所述逆变电路(9，13，21，21a)包括连接在所述高电势侧信号线和所述低电势侧信号线之间的电阻器(18)和电容器(19)的串联电路(21a)，所述串联电路在所述电阻器和所述电容器的公共连接点处连接到所述P-沟道MOSFET的栅极。