[发明专利]氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示领域，尤其涉及一种氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置。

背景技术

有机发光显示器件是新一代的显示器件，与液晶显示器相比，具有很多优点，如：自发光、响应速度快、宽视角等，可以用于柔性显示、透明显示、3D显示等。

有源矩阵发光显示器为每一个像素配备了用于控制该像素的开关—薄膜晶体管，因此通过驱动电路，可以独立控制每一个像素，同时不会对其他像素造成串扰等影响。薄膜晶体管至少由栅极、源极、漏极、栅绝缘层和活化层组成。

目前活化层主要由硅组成，也可以由非晶硅或多晶硅组成。采用非晶硅制成的活化层的薄膜晶体管，因其特性的限制（如迁移率、开态电流等），难以用于需要较大电流和快速响应的场合，如有机发光显示器和大尺寸、高分辨率、高刷新频率的显示器等。采用多晶硅制成的活化层的薄膜晶体管，其特性优于采用非晶硅制成的活化层的薄膜晶体管，可以用于有机发光显示器，但是因为均匀性不佳，因此制备中大尺寸的面板仍有困难。可采用增加补偿电路的方法处理多晶硅特性不均匀的问题，但同时增加了像素中的薄膜晶体管和电容的数量，增加了掩膜数量和制作难度，造成产量减低和良率下降。另外，如果采用诸如ELA（准分子激光退火技术）等LTPS（低温多晶硅）技术来对非晶硅进行晶化，还将需要增加昂贵的设备和维护费用。

因此，氧化物半导体日益受到重视。氧化物半导体为活化层的薄膜晶体管的特性优于非晶硅，如迁移率、开态电流、开关特性等。虽然特性不如多晶硅，但足以用于需要快速响应和较大电流的应用，如高频、高分比率、大尺寸的显示器以及有机发光显示器等。氧化物的均匀性较好，与多晶硅相比，由于没有均匀性问题，不需要增加补偿电路，在掩膜数量和制作难度上均有优势。在制作大尺寸的显示器方面也没有难度。而且采用溅射等方法就可以制备，不需增加额外的设备，具有成本优势。

在现有的一种氧化物薄膜晶体管的制作方法中，源电极和漏电极设置于活化层之上，为了形成源电极和漏电极，需采用刻蚀阻挡层来确保在对源漏金属层刻蚀时活化层不被刻蚀，这种工艺的缺点是刻蚀阻挡层中的H+离子会扩散到活化层中从而影响晶体管性能，而且还或多或少地会出现活化层被刻蚀的现象。

图1是现有的一种氧化物薄膜晶体管的典型结构图，该氧化物薄膜晶体管包括基板100、栅电极101、栅极绝缘层102、活化层103、刻蚀阻挡层104、漏电极105-1和源电极105-2。在现有氧化物薄膜晶体管的制作过程中，漏电极105-1、源电极105-2用湿法刻蚀来图案化，由于刻蚀液对漏电极105-1和源电极105-2下面的活化层103也具有刻蚀作用，因此采用一刻蚀阻挡层104来确保在对源漏金属层刻蚀时活化层103不被刻蚀，这种工艺的缺点是刻蚀阻挡层中的H+离子会扩散到活化层103中从而影响晶体管性能，而且还或多或少地会出现活化层被刻蚀的现象。

在现有的另一种氧化物薄膜晶体管的制作方法中，活化层设置于源电极和漏电极之上，为了形成活化层，需采用刻蚀阻挡层来确保在对活化层刻蚀而形成活化层时源电极和漏电极不被刻蚀，这种工艺的缺点是刻蚀阻挡层中的H+离子会扩散到源电极和漏电极中从而影响晶体管性能，而且还或多或少地会出现源电极和漏电极被刻蚀的现象。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置，以避免刻蚀阻挡层对活化层，或者漏电极和源电极造成的危害。

为了达到上述目的，本发明提供了一种氧化物薄膜晶体管，包括基板、源电极、漏电极、活化层和钝化层；

所述源电极、所述漏电极、所述活化层和所述钝化层设置于所述基板上；

所述源电极和所述漏电极之间的区域是沟道区域；

所述钝化层至少在所述沟道区域与所述活化层直接接触。

实施时，所述源电极和所述漏电极分别设置于所述活化层上；

所述钝化层设置于设有所述源电极和所述漏电极的基板。

实施时，所述活化层设置于设有所述源电极和所述漏电极的基板上；所述钝化层设置于设有所述活化层的基板上。

本发明还提供了一种阵列基板，包括上述任一所述的氧化物薄膜晶体管。

本发明还提供了一种显示装置，包括上述所述的阵列基板。

本发明还提供了一种氧化物薄膜晶体管的制作方法，包括以下步骤：在形成活化层和钝化层之间，至少在源电极与漏电极和活化层接触的区域外设置光刻胶；之后剥离该光刻胶。