[发明专利]氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置有效
| 申请号： | 201210153007.8 | 申请日： | 2012-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN102709327A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 成军;刘晓娣 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;赵爱军 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化物 薄膜晶体管 及其 制作方法 阵列 显示装置 | ||
1.一种氧化物薄膜晶体管，其特征在于，包括基板、源电极、漏电极、活化层和钝化层；
所述源电极、所述漏电极、所述活化层和所述钝化层设置于所述基板上；
所述源电极和所述漏电极之间的区域是沟道区域；
所述钝化层至少在所述沟道区域与所述活化层直接接触。
2.如权利要求1所述的氧化物薄膜晶体管，其特征在于，
所述源电极和所述漏电极分别设置于所述活化层上；
所述钝化层设置于设有所述源电极和所述漏电极的基板。
3.如权利要求1所述的氧化物薄膜晶体管，其特征在于，
所述活化层设置于设有所述源电极和所述漏电极的基板上；
所述钝化层设置于设有所述活化层的基板上。
4.一种氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：在形成活化层和钝化层之间，至少在源电极与漏电极和活化层接触的区域外设置光刻胶；之后剥离该光刻胶。
5.如权利要求4所述的氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：在活化层上除了要分别形成漏电极和源电极的区域之外设置光刻胶；在所述活化层和所述光刻胶上沉积源漏金属层，通过剥离而去除所述光刻胶以及该光刻胶之上的源漏金属层，从而在所述活化层上分别形成漏电极和源电极。
6.如权利要求5所述的氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述光刻胶上的源漏金属层和与所述活化层接触的源漏金属层之间存在一高度差。
7.如权利要求5或6所述的氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，在设置有光刻胶的基板上沉积源漏金属层步骤包括：在设置有光刻胶的基板上采用常温溅射或常温蒸镀沉积源漏金属层。
8.如权利要求4所述的氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
在形成有漏电极和源电极的基板上，除了所述漏电极上和所述源电极上要与活化层连接的区域及要形成沟道的区域，设置光刻胶；
在设置有光刻胶的基板上沉积活化层，并通过剥离而去除所述光刻胶以及该光刻胶之上的活化层，从而在设有所述源电极和所述漏电极的基板上设置活化层。
9.如权利要求8所述的氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述光刻胶上的活化层和与所述漏电极和所述源电极上的活化层之间存在一高度差。
10.如权利要求8或9所述的氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，
在设置有光刻胶的基板上沉积活化层步骤包括：在设置有光刻胶的基板上采用常温溅射或常温蒸镀而沉积活化层。
11.一种阵列基板，其特征在于，包括权利要求1至3中任一权利要求所述的氧化物薄膜晶体管。
12.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求11所述的阵列基板。
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