[发明专利]霍尔推力器的变截面通道的加工方法有效

专利信息
申请号: 201210152828.X 申请日: 2012-05-17
公开(公告)号: CN102644574A 公开(公告)日: 2012-08-22
发明(设计)人: 宁中喜;江晓龙;于达仁;李鸿;刘辉 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: F03H1/00 分类号: F03H1/00
代理公司: 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 代理人: 张宏威
地址: 150001 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要:
搜索关键词: 霍尔 推力 截面 通道 加工 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及霍尔推力器的设计方法。

背景技术

Hall推力器是电推进装置的最基本的类型。利用电能加热、离解和加速工质,使其形成高速射流而产生推力的技术。与化学推进相比,具有比冲高、推力小、能重复启动、重量轻和寿命长等特点,因而可以用作航天器的姿态控制、轨道转移和提升、轨道修正、阻力补偿、位置保持、重新定位、离轨处理、宇宙探测和星际航行等任务。随着通信卫星向着长寿命、大质量、高功率方向发展,对推进器的功率密度及寿命要求就更为苛刻。对于一颗任务期限为15年的卫星来说,推进器的理想工作寿命预计要求超过15000小时,同样对于深空探测任务而言,也要求具有较长的寿命。为满足长寿命卫星平台需求,急需提高现有霍尔推力器工作寿命。

发明内容

本发明的目的是为了解决延长现有霍尔推力器工作寿命的问题,提供霍尔推力器的变截面通道的加工方法。

霍尔推力器的变截面通道的加工方法,它包括具体步骤如下:

步骤一、对霍尔推力器进行点火运行,测量从发动机点火开始到发动机不能再次点火运行的时间段内,霍尔推力器放电通道的壁面法向侵蚀速度c随时间变化的曲线;

步骤二、模拟计算得到不同时刻的壁面法向侵蚀速度c,并建立由法向侵蚀速度c与壁面形貌的一一对应数据关系;

步骤三、由步骤一获得的壁面法向侵蚀速度c随时间变化的曲线和步骤二获得的法向侵蚀速度c与壁面形貌的一一对应数据关系,得到霍尔推力器的变截面通道的形貌参数;

步骤四、根据获得的形貌参数加工霍尔推力器的通道壁截面形状。

本发明通过把如图4传统等截面壁面的形状改变为如图1的缓变截面壁面形貌,由于临近出口的弯曲变截面具有对带电粒子的避让机制,就能使推力器在采用相同厚度的陶瓷壁面的条件下,被腐蚀条件改善,寿命更长。这样就会减小带电粒子对推力器的溅射腐蚀作用,使得推力器的溅射腐蚀速率跳过初始正常腐蚀区域,直接进入减速腐蚀区,有效的延长了推力器的工作寿命30%以上。

附图说明

图1为本发明的缓变截面壁面形貌的霍尔推力器的局部剖面示意图,1为外壁,2为内壁,3为内磁极,4为外磁极;图2为现有的霍尔推力器壁面侵蚀示意图,图3为霍尔推力器壁面腐蚀速率随时间变化曲线图,◆为型号T-220的霍尔推力器,▲为型号SPT-100的霍尔推力器,●为型号NASA-400M的霍尔推力器,*为型号NASA-120Mv1的霍尔推力器;图4为现有霍尔推力器的局部剖面示意图,图5为型号SPT-100的霍尔推力器0至4000小时陶瓷壁面材质被离子溅射侵蚀剥落的壁面形貌数据的示意图,图中横坐标代表侵蚀长度,单位为mm,纵坐标代表陶瓷壁面的壁面形貌,单位为mm,引出线标出对应的时间,单位为小时;图6为陶瓷壁面在离子轰击下的溅射侵蚀速率示意图。

具体实施方式

具体实施方式一:结合图1和图6说明本实施方式,本实施方式所述霍尔推力器的变截面通道的加工方法,它包括具体步骤如下:

步骤一、对霍尔推力器进行点火运行,测量从发动机点火开始到发动机不能再次点火运行的时间段内,霍尔推力器放电通道的壁面法向侵蚀速度c随时间变化的曲线;

步骤二、模拟计算得到不同时刻的壁面法向侵蚀速度c,并建立由法向侵蚀速度c与壁面形貌的一一对应数据关系;

步骤三、由步骤一获得的壁面法向侵蚀速度c随时间变化的曲线和步骤二获得的法向侵蚀速度c与壁面形貌的一一对应数据关系,得到霍尔推力器的变截面通道的形貌参数;

步骤四、根据获得的形貌参数加工霍尔推力器的通道壁截面形状。

具体实施方式二:本实施方式是对实施方式一所述霍尔推力器的变截面通道的加工方法的进一步限定,所述建立由法向侵蚀速度c与壁面形貌一一对应数据的过程为:

霍尔推力器放电通道的壁面材料在离子溅射侵蚀的作用下表面材质不断被剥落,表面形貌在侵蚀过程中不断演化,如图6所示。

θ=arccos(n·n′)是离子入射方向和表面法线方向所成的角度,n表示表面法向的单位向量,n′表示指向离子束入射方向的单位向量;表面的法向侵蚀速度c表示为:

c=qn         (1)

其中q是溅射侵蚀速率,它表示为:

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