[发明专利]霍尔推力器的变截面通道的加工方法有效

专利信息
申请号: 201210152828.X 申请日: 2012-05-17
公开(公告)号: CN102644574A 公开(公告)日: 2012-08-22
发明(设计)人: 宁中喜;江晓龙;于达仁;李鸿;刘辉 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: F03H1/00 分类号: F03H1/00
代理公司: 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 代理人: 张宏威
地址: 150001 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要:
搜索关键词: 霍尔 推力 截面 通道 加工 方法
【权利要求书】:

1.霍尔推力器的变截面通道的加工方法,其特征是它包括具体步骤如下:

步骤一、对霍尔推力器进行点火运行,测量从发动机点火开始到发动机不能再次点火运行的时间段内,霍尔推力器放电通道的壁面法向侵蚀速度c随时间变化的曲线;

步骤二、模拟计算得到不同时刻的壁面法向侵蚀速度c,并建立由法向侵蚀速度c与壁面形貌的一一对应数据关系;

步骤三、由步骤一获得的壁面法向侵蚀速度c随时间变化的曲线和步骤二获得的法向侵蚀速度c与壁面形貌的一一对应数据关系,得到霍尔推力器的变截面通道的形貌参数;

步骤四、根据获得的形貌参数加工霍尔推力器的通道壁截面形状。

2.根据权利要求1所述的霍尔推力器的变截面通道的加工方法,其特征在于,步骤二中,所述建立由法向侵蚀速度c与壁面形貌一一对应数据的过程为:

θ=arccos(n·n′)是离子入射方向和表面法线方向所成的角度,n表示表面法向的单位向量,n′表示指向离子束入射方向的单位向量;

壁面法向侵蚀速度c为:

c=qn                  (1)

其中q是溅射侵蚀速率,为:

q=Ji·Y(E,θ)·cosθN---(2)]]>

其中Ji是离子流的密度,N是陶瓷壁面的原子密度,Y为溅射产额,Y(E,θ)为当入射能量为E的一个离子以入射角度θ入射至陶瓷壁面时获得的溅射产额,离子入射能量E和入射角度θ对溅射产额Y的影响相互独立。

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