[发明专利]一种原位反应制备镥硅氧块体陶瓷材料的方法无效
申请号: | 201210150734.9 | 申请日: | 2012-05-16 |
公开(公告)号: | CN102690119A | 公开(公告)日: | 2012-09-26 |
发明(设计)人: | 王京阳;田志林 | 申请(专利权)人: | 中国科学院金属研究所 |
主分类号: | C04B35/50 | 分类号: | C04B35/50;C04B35/622 |
代理公司: | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人: | 张志伟 |
地址: | 110016 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 原位 反应 制备 镥硅氧 块体 陶瓷材料 方法 | ||
1.一种原位反应制备镥硅氧块体陶瓷材料的方法,其特征在于:
1)原料的组成及成分范围
以氧化镥粉和二氧化硅粉为原料,合成单相镥硅氧Lu2SiO5块体陶瓷材料,反应物的优选化学计量比为Lu2O3:SiO2=1:(0.8~1.2);
2)制备过程
将原料粉按比例混合后,经球磨机球磨5~50小时,将混合均匀的原料装入石墨模具中,以5~20MPa的压力冷压成型,冷压时间5~30分钟,在通有氩气保护气体的热压炉中以2~15°C/min的升温速率加热至1400~1650℃,同时加压15~40MPa,达到目标温度后保温,原位反应1~3小时,然后以2~15℃/min的降温速率降至室温,合成得到单相致密的Lu2SiO5块体陶瓷材料。
2.按权利要求1所述的原位反应制备镥硅氧块体陶瓷材料的方法,其特征在于:原料粉中,氧化镥粉的纯度≥99.994wt.%,其粒度为2~15μm;二氧化硅粉的纯度≥99.99wt.%,其粒度为1.5~10μm。
3.按权利要求1所述的原位反应制备镥硅氧块体陶瓷材料的方法,其特征在于:步骤2)中,加热温度优选为1500~1600°C,同时优选加压30MPa。
4.按权利要求1所述的原位反应制备镥硅氧块体陶瓷材料的方法,其特征在于:步骤2)中,升温速率优选为5℃/min。
5.按权利要求1所述的原位反应制备镥硅氧块体陶瓷材料的方法,其特征在于:步骤2)中,降温速率优选为5℃/min。
6.按权利要求1所述的原位反应制备镥硅氧块体陶瓷材料的方法,其特征在于:步骤2)中,氩气保护气氛为纯度≥99.99%的氩气。
7.按权利要求1所述的原位反应制备镥硅氧块体陶瓷材料的方法,其特征在于:步骤2)中,球磨后将球磨介质与粉末分离,利用烘箱在空气中以50~70°C烘干,得到干燥粉末。
8.按权利要求1所述的原位反应制备镥硅氧块体陶瓷材料的方法,其特征在于:步骤2)中,球磨介质与原料粉末的分离采用过筛法,筛子的孔径为120目。
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