[发明专利]晶体管的形成方法有效
| 申请号： | 201210149005.1 | 申请日： | 2012-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN103426754A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 陈勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶体管 形成 方法 | ||
1.一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底表面形成高K介质层；
在所述高K介质层表面形成无定形碳层；
在所述无定形碳层表面形成伪栅极层；
在伪栅极层两侧的半导体衬底表面形成侧墙；
在所述伪栅极层和侧墙两侧的半导体衬底内形成源/漏区；
在形成源/漏区后，在半导体衬底表面形成掩膜层，所述掩膜层上表面与伪栅极层顶部齐平；
以掩膜层为掩膜，去除所述伪栅极层，形成开口；
在所述开口内填充满金属，形成栅电极层，所述栅电极层上表面与所述掩膜层的顶部齐平。
2.如权利要求1所述晶体管的形成方法，其特征在于，所述无定形碳层的厚度为
3.如权利要求1所述晶体管的形成方法，其特征在于，形成无定形碳层的工艺为化学气相沉积工艺或原子层沉积工艺。
4.如权利要求1所述晶体管的形成方法，其特征在于，在形成无定形碳层之前，还包括步骤：在所述高K介质层表面形成保护层。
5.如权利要求4所述晶体管的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料为氮化钛或氮化钽。
6.如权利要求4所述晶体管的形成方法，其特征在于，所述保护层的厚度为
7.如权利要求1所述晶体管的形成方法，其特征在于，所述高K介质层的厚度为
8.如权利要求1所述晶体管的形成方法，其特征在于，所述高K介质层的材料为氧化铪、氧化铪硅、氮氧化铪、氮氧化铪硅、氮氧化铪钽、氧化锆、氮氧化锆、氮氧化锆硅、氧化锆硅、氧化镧、氧化钛、氧化钽、氧化钡锶钛、氧化钡钛、氧化锶钛或氧化铝。
9.如权利要求1所述晶体管的形成方法，其特征在于，所述掩膜层的材料为氧化硅或氮化硅。
10.如权利要求1所述晶体管的形成方法，其特征在于，在形成高K介质层形成之前，还包括：在所述半导体衬底上形成绝缘层。
11.如权利要求10所述晶体管的形成方法，其特征在于，所述绝缘层的材料为氧化硅或氮化硅。
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