[发明专利]一种内存设备的布线方法有效
申请号: | 201210147610.5 | 申请日: | 2012-05-14 |
公开(公告)号: | CN102693338A | 公开(公告)日: | 2012-09-26 |
发明(设计)人: | 吴少刚;张福新;周国强;张斌;徐锋;崔太有 | 申请(专利权)人: | 江苏中科梦兰电子科技有限公司 |
主分类号: | G06F17/50 | 分类号: | G06F17/50 |
代理公司: | 苏州广正知识产权代理有限公司 32234 | 代理人: | 张利强 |
地址: | 215500 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 内存 设备 布线 方法 | ||
1.一种内存设备的布线方法,其特征在于,具体步骤包括:
(100)将同一个数据组的各个信号线,在内存控制器与内存设备之间连通,信号线从印制电路板的多个走线层同时走线;
(200)分别计算各个信号线的所有走线线段的延时:
Ti=TD*Li
其中Ti为第i条走线线段的延时,TD为走线线段单位长度的延时,Li为第i条走线线段的长度;
(300)计算同一数据组内各个信号线的总延时TSUM:
TSUM= =T1+T2+…….+TN
假设信号线两个端点之间由N个走线线段组成;
(400)通过调节各个信号线的表层线长或内层线长,直至各个信号线的总延时的差值的绝对值控制在限制范围内。
2.根据权利要求1所述的内存设备的布线方法,其特征在于,所述走线线段单位长度的延时TD的计算方法包括:
(110)、判断该走线线段是内层走线还是外层走线;
(120)、如果是内层走线,走线线段单位长度的延时TD计算方法为:
其中为该走线线段的参考层的介电系数,C为光速;
(130)、如果是外层走线,走线线段单位长度的延时TD计算方法为:
其中为修正后的介电系数,C为光速;
其中为该走线线段的参考层的介电系数, W为表层走线的线宽、t为表层铜厚、H为表层走线参考层厚度,
其中F参数,取决于表层走线的线宽W与表层走线参考层厚度H的大小关系,
当W/H>1时,F=0;
当W/H<1时,。
3.根据权利要求1所述的内存设备的布线方法,其特征在于,所述各个信号线的过孔数量差值小于等于2。
4.根据权利要求1所述的内存设备的布线方法,其特征在于,内存频率与各个信号线的总延时的差值的绝对值的限制范围成反比。
5.根据权利要求1所述的内存设备的布线方法,其特征在于,在DDR1设计中,各个信号线的总延时的差值的绝对值小于20ps;在DDR2或者DDR3设计中,各个信号线的总延时的差值的绝对值小于10ps。
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