[发明专利]成长低应力绝缘栅双极型晶体管沟槽型栅极的方法无效
| 申请号： | 201210147001.X | 申请日： | 2012-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN103035499A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 成鑫华;李琳松;肖胜安;孙勤 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/283 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 成长 应力 绝缘 栅双极型 晶体管 沟槽 栅极 方法 | ||
1.一种成长低应力绝缘栅双极型晶体管沟槽型栅极的方法，其特征在于：在沟槽内和沟槽两侧的上端面成长一层栅极氧化层；在多晶硅炉管上增加一路氧气管路，在沟槽内沉积多晶硅进行多晶硅成膜，并将需要成膜的多晶硅分多个步骤在一次程式中完成；在每个多晶硅成膜步骤完成后，通入稀薄的氧气，且关闭反应气体，成长一层很薄的氧化层作为应力缓冲层，然后多次重复上述过程，即形成漏氧式多晶硅，并用其填充沟槽。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：沉积多晶硅时的温度为450～700℃；当采用低压化学汽相淀积LPCVD炉管沉积多晶硅时温度为530℃。
3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于：沉积多晶硅时的压力为10～1000帕；当采用低压化学汽相淀积LPCVD炉管沉积多晶硅时压力为25帕。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：在一次程式中分2～10个步骤完成多晶硅成膜。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于：在一次程式中分4个步骤完成多晶硅成膜。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于：形成漏氧型多晶硅可在一个机台一次完成，也可在一个机台分多次进行。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述多晶硅炉管为垂直式炉管或水平式炉管。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述稀薄的氧气为5-50sccm。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述很薄的氧化层厚度为10-100埃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
