[发明专利]基于上转换材料的LED及其封装方法无效

专利信息
申请号: 201210143731.2 申请日: 2012-05-10
公开(公告)号: CN102646780A 公开(公告)日: 2012-08-22
发明(设计)人: 钱广 申请(专利权)人: 四川恩莱特光电科技有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/50
代理公司: 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 代理人: 冉鹏程
地址: 629000 四川省遂宁*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 基于 转换 材料 led 及其 封装 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及光电技术应用领域,具体涉及基于上转换材料的LED及其封装方法。

背景技术

随着半导体技术及工艺的飞速发展,发各种色光的LED相继诞生。1993年,第一只蓝光LED出现,1996年,第一只白光LED出现,使得LED的色彩在整个可见光的范围内都得以实现。白光LED的发光效率不断提高,具有无污染、低功耗、高可靠、长寿命等优点,是一种符合环保、节能的绿色照明光源。使白光LED的应用领域,从传统的指示领域向照明领域转移,将取代白炽灯(Incandescent Lamp)和荧光灯(Fluorescent Lamp)成为第四代光源。正因如此,使得白光LED的研究成为热点。

目前,实现白光LED各种途径中,使用荧光粉与LED结合产生白光占了相当大的比例,其中以蓝光LED芯片与黄色荧光粉()结合产生白光的方法已适用于产线进行批量生产,这些PC-LED(Phosphor Conversing LED)所用的各种荧光粉,在光致发光过程中,都是遵从stokes定律的,即荧光粉在受到短波长光(高能量光)的激发,发射出长波长的光(低能量光),这类材料称为下转换材料。上转换材料正好与下转换材料相反,在光致发光过程中,是遵从反stokes定律的,即荧光粉在受到长波长光(低能量光)的激发,发射出短波长的光(高能量光)。该类上转换材料应用涉及短波长激光、红外探测与显示、生物标记、光学通讯、防伪等领域,是一种红外光激发下能发出可见光的发光材料,即将红外光转换成可见光的材料,现在这类荧光粉的研究较多。

例如,中国专利文献公开号为CN101016459,公开日2007年8月15日的发明专利,公开了一种白色上转换材料及其制备方法,它含稀土掺杂NaYF4化合物的配合料,该配合料以NaF、YF3为基础,加入敏化剂YbF3,共掺入激活剂ErF3、TmF3,将配合料用固相反应制成产品并获得具有组成化学式的化合物:NaY1-X-Y-ZTmXErYYbZF4其中X为0.001至0.005;Y为0.001至0.004;Z为0.20至0.25。它依据红、绿、蓝三基色的荧光强度比必须达到合适值的色度学原理,基于Er、Tm离子之间能量传递理论,利用NaYF4为基质的各种稀土离子的光谱发射特性,采用单一的NaYF4基质,通过多掺杂方式及简单而又低成本的制备工艺,应用红外光激发,成功实现了含稀土掺杂NaYF4化合物上转换材料的白色光输出。

虽然目前这类荧光粉,但是目前没有具体讲这类荧光粉应用于LED领域的具体操作应用,采用这类上转换荧光粉应用于LED领域中,可以扩大LED原材料的领域,以满足目前社会发展对LED生产需求。

发明内容

本发明的目的是提供一种效果很好的基于上转换材料的LED 及其封装方法,其中是通过选择适当红外LED或红光LED作为激励源,选择激发谱和发射谱与激励源匹配的上转换荧光粉,并调整荧光粉的配比,在晶片的表面上得到荧光粉层,最后灌胶成型得到白光LED器件,通过该方法制备出的白光LED器件质量很好,使用寿命长。

本发明所提出的技术问题是这样解决的:

基于上转换材料的LED ,其特征在于:包括红光LED或红外LED晶片,红光LED或红外LED晶片连接有金线或者铝线,所述红光LED或红外LED晶片外部封装有上转换荧光粉层;所述红光LED晶片采用发射峰波为600-650nm的红光LED晶片,或红外LED晶片采用发射峰波为920-1040nm的红外LED晶片;所述上转换荧光粉层是由红色荧光粉、绿色荧光粉、蓝色荧光粉中的一种或者按照一定配比混合形成的多种荧光粉层,所述一定配比是按重量比为:0.05~1: 0.05~1: 0.05~1。

基于上述LED的封装方法,其特征在于包括以下步骤:

①选用发射峰波为600-650nm的红光LED晶片或发射峰波为920-1040nm的红外LED晶片,并在相应的支架上完成固晶焊线;

②选用激发谱和发射谱与步骤①中所述LED晶片匹配的上转换荧光粉,上转换荧光粉将LED晶片的红光或红外线吸收后转化为可见光,所述的上转换荧光粉按重量比1~4:5~7:1~4的配比混合成白光;

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