[发明专利]基于上转换材料的LED及其封装方法

权利要求书

1.基于上转换材料的LED ，其特征在于：包括红光LED或红外LED晶片（3），红光LED或红外LED晶片（3）连接有金线或者铝线，所述红光LED或红外LED晶片（3）外部封装有上转换荧光粉层（5）；所述红光LED晶片（3）采用发射峰波为600-650nm的红光LED晶片，或红外LED晶片（3）采用发射峰波为920-1040nm的红外LED晶片；所述上转换荧光粉层（5）是由红色荧光粉、绿色荧光粉、蓝色荧光粉中的一种或者按照一定配比混合形成的多种荧光粉层，所述一定配比是按重量比为：0.05~1: 0.05~1: 0.05~1。

2.基于上转换材料的LED的封装方法，其特征在于包括以下步骤：

①选用发射峰波为600-650nm的红光LED晶片（3）或发射峰波为920-1040nm的红外LED晶片（3），并在相应的支架（1）上完成固晶焊线；

②选用激发谱和发射谱与步骤①所述LED晶片（3）匹配的上转换荧光粉，上转换荧光粉将LED晶片（3）的红光或红外线吸收后转化为可见光，所述的上转换荧光粉按重量比1~4:5~7:1~4的配比混合成白光；

③将步骤②中配比混合得到的上转换荧光粉与胶体按重量比为0.05~0.3：1的比例混合，并搅拌8~15分钟，使得上转换荧光粉与胶材混合均匀形成混合液，再对混合液进行抽真空处理，抽真空后的混合液再进行脱泡形成荧光胶；

④根据步骤①中支架（1）上的碗杯大小取适量步骤③得到荧光胶沉积到碗杯内，然后覆盖晶片（3）进行固化或光刻；

⑤灌胶固化成型。

3.根据权利要求2所述的封装方法，其特征在于：所述红光LED或红外LED晶片（3）是功率型的晶片，或者是小功率的半导体发光晶片。

4.根据权利要求2所述的封装方法，其特征在于：步骤①中所述支架（1）采用适合大功率LED封装的铜柱或陶瓷支架，或者采用适合中小功率封装的SMD结构、TOP结构支架。

5.根据权利要求2所述的封装方法，其特征在于：用于步骤①中固晶焊线的固晶胶是适用于各种功率LED的银浆（2）或绝缘胶，或者采用共晶焊接或COB结构，选用金线或铝线（4）完成焊线。

6.根据权利要求2所述的封装方法，其特征在于：所述的上转换荧光粉是由稀土无机物制成的上转换荧光粉，具有将吸收的红光或红外线转化为可见光的上转换特性。

7.根据权利要求2所述的封装方法，其特征在于：步骤③中所述的胶材采用硅胶类胶体或环氧类胶体，或者采用具有曝光特性的光刻胶。

8.根据权利要求2所述的封装方法，其特征在于：步骤④中所述的沉积的方式采用点胶方式直接固化，或者通过光刻工艺形成平面的具有保形结构的上转换荧光粉层（6）。

9.根据权利要求2所述的封装方法，其特征在于：步骤⑤中所述的灌胶固化成型是采用透镜成型或者通过模封的硅胶成型。

10.根据权利要求2所述的封装方法，其特征在于：所述封装方法采用单晶片封装，或者多晶片集成封装，采用多晶片集成封装时：晶片数量≥2PCS。