[发明专利]半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

在半导体衬底上形成栅极介质层，所述半导体衬底包括第一有源区和第二有源区；

在栅极介质层上形成栅极导体层；

在第一有源区和第二有源区中的栅极导体层上分别形成第一尺寸的第一硬掩模和第二尺寸的第二硬掩模；

利用第一硬掩模和第二硬掩模蚀刻栅极导体层，从而同时形成第一栅极导体和第二栅极导体。

2.根据权利要求1所述的方法，其中形成第一尺寸的第一硬掩模和第二尺寸的第二硬掩模包括：

在栅极导体层上形成第一掩模层；

在第一掩模层上形成第二掩模层；

在第一有源区中的第二掩模层上形成第一光致抗蚀剂掩模；

利用第一光致抗蚀剂掩模，对第二掩模层进行选择性蚀刻，使得第二掩模层在第一有源区中的第一掩模层上形成第三硬掩模；

去除第一光致抗蚀剂掩模；

在第二有源区的第一掩模层上形成第二光致抗蚀剂掩模；

利用第三硬掩模和第二光致抗蚀剂掩模，对第一掩模层进行选择性蚀刻；以及

去除第二光致抗蚀剂掩模；

其中，第一硬掩模是第一掩模层在第一有源区中的部分，第二硬掩模是第一掩模层在第二有源区中的部分。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中第一尺寸大于第二尺寸。

4.根据权利要求3所述的方法，其中在形成第一光致抗蚀剂掩模时使用的光刻设备和/或光致抗蚀剂比在形成第二光致抗蚀剂掩模时使用的光刻设备和/或光致抗蚀剂的分辨率低。

5.根据权利要求2所述的方法，其中第一掩模层和栅极介质层由相同的材料组成。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述第一掩模层和栅极介质层由相同的氧化物组成。

7.根据权利要求2所述的方法，其中第二掩模层和栅极导体层由相同的材料组成。

8.根据权利要求7所述的方法，其中第二掩模层和栅极导体层由多晶硅组成。