[发明专利]半导体封装构造有效
| 申请号： | 201210140981.0 | 申请日： | 2012-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN102709260A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 廖国宪 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/48 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 中国台湾高雄*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 构造 | ||
1.一种半导体封装构造，其特征在于：所述半导体封装构造包含：
一基板，具有一第一表面及一第二表面；
一第一芯片，固设于所述第一表面上；
数个导电柱，电性连接于所述第一表面；
一封胶层，包覆所述第一芯片、第一表面及导电柱，并裸露所述导电柱的一端部；以及
至少一电子组件，设于所述基板的第二表面；
其中所述半导体封装构造以所述导电柱作为数个电性输出端子。
2.如权利要求1所述的半导体封装构造，其特征在于：所述半导体封装构造还包含一第二芯片，所述第二芯片固设于所述第一表面上并邻接于所述第一芯片，且所述第一、第二芯片之间具有一间隙，所述间隙处设有所述导电柱。
3.如权利要求2所述的半导体封装构造，其特征在于：所述第一芯片及所述第二芯片分别是一类比芯片、一数字芯片、低频芯片或一基频芯片。
4.如权利要求1或2所述的半导体封装构造，其特征在于：所述导电柱的高度是介于500微米至1000微米之间。
5.如权利要求1所述的半导体封装构造，其特征在于：所述半导体封装构造还包含至少一第一无源组件，所述第一无源组件设置于所述第一表面，且所述封胶层包覆所述第一无源组件。
6.如权利要求1所述的半导体封装构造，其特征在于：所述基板的第一表面还包含至少一接垫及至少一预焊层，且所述预焊层设置于所述导电柱及所述接垫之间。
7.如权利要求6所述的半导体封装构造，其特征在于：所述接垫的厚度是介于12微米至18微米之间，所述预焊层的厚度是介于20微米至40微米之间。
8.如权利要求1所述的半导体封装构造，其特征在于：所述至少一电子组件包含一第三芯片、一通讯天线或至少一第二无源组件，并设置于所述第二表面上。
9.一种半导体封装构造，其特征在于：所述半导体封装构造包含：
一基板，具有一第一表面及一第二表面；
一第一芯片，固设于所述第一表面上；
一第二芯片，固设于所述第一表面上，并邻接于所述第一芯片；
数个导电柱，电性连接于所述第一表面，所述导电柱设置于所述第一及第二芯片的周围以及所述第一及第二芯片之间的一间隙处；
一封胶层，包覆保护所述第一芯片、第二芯片、第一表面及导电柱，并裸露所述导电柱的一端部；
其中所述半导体封装构造以所述导电柱作为数个电性输出端子。
10.如权利要求9所述的半导体封装构造，其特征在于：至少一电子组件设置于所述第二表面上，且所述电子组件包含一第三芯片、一通讯天线或至少一无源组件。
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