[发明专利]改善沟槽型NMOS漏源击穿电压的方法及其结构

权利要求书

1.一种改善沟槽型NMOS漏源击穿电压的方法，其特征在于：通过在沟槽型NMOS的沟槽底部，增加P型浮岛来实现。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述增加P型浮岛的实现步骤包括：

步骤一、在一N型外延硅片形成硬掩膜层；

步骤二、采用光刻刻蚀工艺对硬掩膜层进行刻蚀并将沟槽区域打开；

步骤三、以所述硬掩膜层为掩膜，对所述沟槽区域的N型外延硅片进行刻蚀形成沟槽；

步骤四、在所述沟槽的底部和侧壁上形成牺牲氧化层；

步骤五、以所述硬掩膜层为掩膜，从所述N型外延硅片的正面进行P型离子注入，该P型离子注入在所述沟槽的底部形成一P型浮岛；

步骤六、去除所述牺牲氧化层以及所述硬掩膜层。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于：所述P型浮岛中，一个沟槽的底部相对应有一个P型浮岛。

4.如权利要求2所述的方法，其特征在于：所述P型离子注入为硼的注入，注入的浓度范围为1×10¹²～1×10¹³cm^-2，注入能量范围为100kev～400Kev。

5.一种沟槽型NMOS结构，其特征在于：包括：

一N型外延硅片，在该N型外延硅片上形成有沟槽，在该沟槽中依次形成有栅介质层和栅极，在所述沟槽的底部形成有如权利要求1所述的P型浮岛；

P型阱，形成于所述N型外延层中，所述P型阱的深度小于所述沟槽的底部深度；

源区，由形成于所述P型阱上部的N+区组成；

位于P型阱底部的N型外延硅片组成器件的漂移区和漏区；

形成于N型外延硅片的背面的漏极；

其中，栅极从侧面覆盖P型阱，被栅极所覆盖的P型阱用于形成一沟道区，该沟道区用于形成沟道电流，从而将源区和位于P型阱底部的N型外延硅片连接；P型阱电极和源极连接在一起，所述P型阱电极和P型阱的接触位置处形成有P+区，该P+区用于形成欧姆接触。