[发明专利]用于3D封装的应力补偿层

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一基板，具有第一面和第二面；

第一管芯，安装在所述第一基板的所述第一面上；

模塑料，形成在所述第一基板的所述第一面的至少一部分的上方；

应力补偿层，形成在所述第一基板的所述第二面的上方；以及

第二基板，在所述第一面上与所述第一基板电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述应力补偿层的厚度为约其中，CTE_Molding是所述模塑料的热膨胀系数；E_Molding是所述模塑料的杨氏模量；THK_Molding是所述模塑料的厚度；CTE_Compensation是所述应力补偿层的热膨胀系数；以及E_Compensation是所述应力补偿层的杨氏模量。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一基板包括硅中介层。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括第二管芯，所述第二管芯与所述第一基板的所述第一面电连接。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括管芯封装件，所述管芯封装件设置在所述第一管芯上方并与所述第一基板电连接，所述管芯封装件包括所述第二基板和第二管芯。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述应力补偿层包括模塑料。

7.一种半导体器件，包括：

第一封装件，所述第一封装件包括第一集成电路管芯；

第一基板，所述第一基板具有位于第一面上的第一组导电部件和位于第二面上的第二组导电部件，所述第一封装件与所述第一基板的所述第一面上的所述第一组导电部件中的第一子集连接；

第二集成电路管芯，与所述第一基板的所述第一面上的所述第一组导电部件中的第二子集电连接；

模塑料，至少部分地封装所述第二集成电路管芯；以及

应力补偿层，沿着所述第一基板的所述第二面，所述应力补偿层具有在其中形成的开口，所述开口用于至少部分地暴露出位于所述第一基板的所述第二面上的所述第二组导电部件中的对应导电部件，所述应力补偿层以与所述模塑料施加的应力相反的方向施加作用力。

8.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：

提供具有第一面和相对的第二面的第一基板；

将所述第一管芯接合至所述第一基板的所述第一面；

在所述第一基板的所述第一面上形成模塑料；以及

在所述第一基板的所述第二面上形成应力补偿层。

9.根据权利要求8所述的方法，还包括确定所述应力补偿层的所需厚度，所述确定至少部分地基于所述应力补偿层的热膨胀系数。

10.根据权利要求8所述的方法，还包括确定所述应力补偿层的所需厚度为约其中：CTE_Molding是所述模塑料的热膨胀系数；E_Molding是所述模塑料的杨氏模量；THK_Molding是所述模塑料的厚度；CTE_Compensation是所述应力补偿层的热膨胀系数；以及E_Compensation是所述应力补偿层的杨氏模量。