[发明专利]一种多晶硅栅电极的离子注入方法有效
| 申请号： | 201210139313.6 | 申请日： | 2012-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN103390546A | 公开（公告）日： | 2013-11-13 |
| 发明（设计）人： | 陈清;蒋玮玲 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 唐立;李浩 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 电极 离子 注入 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种多晶硅栅电极的离子注入方法，其特征在于，设置所述离子注入的能量参数以减小所述多晶硅栅电极在离子注入过程中产生的形变。
2.如权利要求1所述的离子注入方法，其特征在于，所述离子注入的能量参数的范围为10KeV至40KeV。
3.如权利要求2所述的离子注入方法，其特征在于，所述离子注入用于对所述多晶硅栅电极进行N型掺杂。
4.如权利要求2或3所述的离子注入方法，其特征在于，所述离子注入用于0.13微米工艺代，或者用于0.13微米以下工艺代。
5.如权利要求4所述的离子注入方法，其特征在于，所述离子注入的能量参数被设置为30KeV。
6.如权利要求5所述的离子注入方法，其特征在于，所述离子注入的束流为10mA，离子注入的质量为75个单位原子量，离子注入的剂量为6E15/cm3。
7.如权利要求1所述的离子注入方法，其特征在于，通过所述离子注入方法所形成的MOS器件用于形成静态随机存储器单元。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
