[发明专利]提高静态随机存储器写入冗余度的方法

权利要求书

1.一种提高静态随机存储器写入冗余度的方法，其特征在于包括：当采用压应力通孔刻蚀停止层应力处理时，在消除NMOS器件区域的压应力的元素离子注入工艺步骤中，打开上拉管区域以使其不覆盖修改后的光刻胶，使得上拉管区域与NMOS器件区域一样进行元素离子的注入，由此元素离子对上拉管区域的压应力通孔刻蚀停止层进行轰击。

2.根据权利要求1所述的提高静态随机存储器写入冗余度的方法，其特征在于，其中衬底上的所有NMOS器件区域均未覆盖修改后的光刻胶。

3.根据权利要求1或2所述的提高静态随机存储器写入冗余度的方法，其特征在于，所述元素离子是锗元素离子。

4.根据权利要求1或2所述的提高静态随机存储器写入冗余度的方法，其特征在于，所述提高静态随机存储器写入冗余度的方法用于45nm及以下静态随机存储器制备处理。

5.根据权利要求1或2所述的提高静态随机存储器写入冗余度的方法，其特征在于，所述提高静态随机存储器写入冗余度的方法是通过逻辑运算实现的。

6.一种静态随机存储器制造方法，其特征在于采用了根据权利要求1至6之一所述的提高静态随机存储器写入冗余度的方法。