[发明专利]一种硅片切边方法及其装置

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，且特别涉及一种光刻涂胶显影设备。

背景技术

随着集成电路技术的不断发展，芯片的关键尺寸（Critical Dimension）不断缩小，对半导体制造技术领域的要求也越来越高。作为半导体制造技术中的关键技术，光刻工艺对光刻设备精度的要求也越来越高。在涂胶显影设备中，传统技术上，对已涂胶硅片进行切边时，由于硅片的旋转中心与硅片实际中心位置始终存在微小的偏差，难以重叠，导致切边的硅片存在一边偏大，另一边偏小，影响硅片后续的显影工艺，最终导致硅片的良率问题。

发明内容

为了克服已有技术中在涂胶切边时硅片切边不均匀问题，本发明提供一种具有高均匀性涂胶硅片切边方法及其装置。

为了实现上述目的，本发明提出一种硅片切边方法，包括：

由传输臂上的第一感应器确定硅片中心位置与V型槽口（notch）角度；

将所述硅片放置于旋转平台上，开始旋转；

伺服马达控制切边手臂经导轨移动至所述硅片边缘上方，开始切边；

所述切边手臂上设置的距离第二感应器向控制器反馈所述切边手臂与所述硅片边缘的距离；

所述控制器接收所述距离第二感应器反馈所述切边手臂与所述硅片边缘的距离，并对所述伺服马达发出控制信号；

所述伺服马达控制所述切边手臂，使所述切边手臂与所述硅片边缘保持固定距离。

进一步地，所述硅片表面涂有光刻胶。

进一步地，所述切边手臂在所述硅片的旋转中心的直径（或半径）的延长线上。

进一步地，将所述确定V型槽口角度的硅片放置于旋转平台开始旋转前，所述第二感应器向所述控制器反馈所述切边手臂与所述V型槽口临近一端之间的初始弧度。

进一步地，所述切边手臂完成所述初始弧度的切边时，所述控制器取消对于V型槽口的固定弧度的切边。

本发明还提供一种使用上述硅片切边方法的装置，包括：

第一感应器，所述第一感应器设置于传输臂上，用于确定硅片中心与V型槽口角度；

切边手臂，所述切边手臂设置于导轨上，用于对已涂胶硅片进行切边；

伺服马达，所述伺服马达控制所述切边手臂在所述导轨上移动，使所述切边手臂进行切边；

旋转平台，所述旋转平台用于放置硅片，并以一定速率进行定向时针旋转；

第二感应器，所述第二感应器设置于所述切边手臂上，反馈所述切边手臂与所述硅片边缘的距离；

控制器，所述控制器接收所述第二感应器反馈所述切边手臂与所述硅片边缘的距离，并对所述伺服马达发出控制信号。

进一步地，所述切边手臂在所述硅片的旋转中心的直径（或半径）的延长线上。

进一步地，将所述确定V型槽口角度的硅片放置于旋转平台开始旋转前，所述第二感应器向所述控制器反馈所述切边手臂与所述V型槽口临近一端之间的初始弧度。

进一步地，所述切边手臂完成所述初始弧度的切边时，所述控制器取消对于V型槽口的固定弧度的切边。

本发明所述的硅片切边方法的有益效果主要表现在：通过切边手臂上的第二感应器在切边时向控制器实时反馈的切边手臂与硅片边缘的距离，控制器对伺服马达发出控制信号，伺服马达控制所述切边手臂与所述硅片边缘保持固定距离，从而弥补了硅片的旋转中心与硅片实际中心位置始终存在微小的偏差而带来的切边偏差，提高了切边均匀性，进一步提升了硅片的良率。

附图说明

图1为现有技术中涂胶硅片切边的示意图；

图2为本发明具体实施例1的一种硅片切边方法的步骤示意图；

图3为本发明具体实施例1的一种硅片切边装置结构图；

图4为本发明具体实施例2的一种硅片切边方法的步骤示意图；

图5为本发明具体实施例2的一种硅片切边装置结构图。

具体实施方式

为了更好地理解本发明相对于现有技术所作的改进，在对本发明的具体实施方式进行详细描述前，先对背景部分提到的现有技术结合附图加以说明。

图1是现有技术中涂胶硅片切边的示意图，导轨1上的切边手臂2靠近放置于旋转平台（图中未示出）上的硅片3进行切边，由于旋转平台（图中未示出）的旋转中心4与硅片3的硅片中心5存在着偏差，切边手臂2完成切边后，硅片3的切边区域6一边偏大，一边偏小，均匀性不好，影响了硅片的良率。

下面结合附图对发明的具体实施例作进一步的描述。

实施例1

图2是本发明具体实施例1的一种硅片切边方法的步骤示意图。