[发明专利]半导体装置中的电可编程熔丝模块有效
申请号: | 201210137486.4 | 申请日: | 2012-05-04 |
公开(公告)号: | CN102779556B | 公开(公告)日: | 2017-03-01 |
发明(设计)人: | 李里尼;李延浩 | 申请(专利权)人: | 飞思卡尔半导体公司 |
主分类号: | G11C17/16 | 分类号: | G11C17/16;G11C17/08 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人: | 李佳,穆德骏 |
地址: | 美国得*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 中的 可编程 模块 | ||
1.一种半导体装置,包括:
电熔丝模块,所述电熔丝模块包括电可编程电熔丝元件的阵列;
以及
编程电流生成器,所述编程电流生成器包括:基准晶体管元件组;选择器,所述选择器用于起动所述基准晶体管元件以产生选定基准电流;以及,电流镜,所述电流镜用于将编程电流施加至所述阵列的选定电熔丝元件,以编程所述选定电熔丝元件的电阻,所述编程电流是所述选定基准电流的函数。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述基准晶体管元件的每一个具有电流导电路径和控制端子,并且所述选择器将第一基准电压或第二基准电压选择性地施加至所述基准晶体管元件的所述控制端子,用于控制在所述电流导电路径中的电流流动。
3.根据权利要求2所述的半导体装置,其中,所述基准晶体管元件的所述电流导电路径并联连接在第一节点和第二节点之间,所述选定基准电流在所述第一节点和第二节点之间流动。
4.根据权利要求3所述的半导体装置,其中,所述编程电流生成器包括基准电压生成器,所述基准电压生成器用于跨越所述第一节点和第二节点施加基准电压。
5.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述编程电流生成器包括编程电压生成器,所述编程电压生成器在限定的编程时段期间跨越所述电流镜和所述阵列的所述选定电熔丝元件的串联连接施加编程电压,在所述编程时段期间所述编程电流流过所述串联连接。
6.根据权利要求1所述的半导体装置,还包括传感器,所述传感器将感测电流施加到所述阵列的电熔丝元件并且生成输出信号,所述输出信号是所述电熔丝元件的所述电阻的函数。
7.一种在半导体装置中编程电熔丝模块的方法,所述电熔丝模块具有电可编程电熔丝元件的阵列,所述方法包括:
选择性地起动基准晶体管元件组,以产生选定基准电流;以及
使用电流镜将编程电流施加到所述阵列的选定电熔丝元件,以编程所述选定电熔丝元件的电阻,所述编程电流是所述选定基准电流的函数。
8.根据权利要求7所述的编程电熔丝模块的方法,其中,所述基准晶体管元件的每一个具有电流导电路径和控制端子,并且选择性地起动所述基准晶体管元件组的步骤包括:选择性地将第一基准电压或第二基准电压施加到所述基准晶体管元件的所述控制端子,用于控制所述电流导电路径中的电流流动。
9.根据权利要求8所述的方法,其中,所述基准晶体管元件的所述电流导电路径并联连接在第一节点和第二节点之间,并且所述选定基准电流在所述第一节点和第二节点之间流动。
10.根据权利要求9所述的方法,其中,产生所述选定基准电流的步骤包括:跨越所述第一节点和第二节点施加基准电压。
11.根据权利要求7所述的方法,其中,编程所述电熔丝元件的所述电阻的步骤包括:在限定的编程时段期间跨越所述电流镜和所述阵列的所述选定电熔丝元件的串联连接施加编程电压,在所述编程时段期间所述编程电流流过所述串联连接。
12.根据权利要求7所述的方法,进一步包括以下步骤:将感测电流施加到所述阵列的电熔丝元件,并且生成输出信号,所述输出信号是所述电熔丝元件的所述电阻的函数。
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