[发明专利]一种测试高纯管道吹扫效果的方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体集成电路的制造领域，尤其涉及一种测试高纯管道吹扫效果的方法。

背景技术

对于半导体工厂，在新的特气设备正式投入使用前必须进行充分的管道吹扫工艺，如果管道吹扫不干净，则会对特气供应的纯度造成一定的影响。

目前，业界一般采用高纯N₂对特气管路和设备进行吹扫，在对包括气柜、区域分配箱（VDB）、阀门分歧箱（VMB）等设备进行吹扫后，使用分析仪器测试所有VMB出口的数据，以检测吹扫的效果是否达到工艺需求。

由于测试的VMB数量较多（一般8英寸半导体工厂的VMB数量会达到几十台甚至上百台，而12英寸半导体工厂的VMB的数量则会更多），且测试的内容及测试的指标在业界没有统一的标准，都是各个厂家根据自己的情况进行操作，所以比较普遍的做法就是对所有VMB的出口都进行测试，这样就需要花费大量的时间、人力和财力进行测试，不仅增加了工艺成本，且因为集成电路产业的特点就是技术革新快，精度要求高，发展速度可以用“日新月异”来形容，若管道洁净度测试花费时间过长或管道洁净度不够，不仅造成时间、人力和财力的浪费，还会造成产品良率降低。

发明内容

本发明公开了一种测试高纯管道吹扫效果的方法，其中，包括以下步骤：

步骤S1：根据特气管路中阀门分歧箱的布局，选择最末端的阀门分歧箱作为第一检测的测试点；

步骤S2：对特气管路吹扫后，进行各个测试点的第一检测；

步骤S3：若第一检测结果不合格，则依次循环重复步骤S1和步骤S2，直至第一检测结果合格；若第一检测结果合格，则抽检除已进行第一检测过的阀门分歧箱进行第二检测；

步骤S4：若第二检测结果不合格，则对该不合格管路进行吹扫，并在吹扫后对该不合格管路中所有阀门分歧箱进行第三检测，若第三检测结果不合格则再次对该不合格管路进行吹扫和第三检测，直至对该不合格管路中所有阀门分歧箱进行的第三检测结果合格；若第三检测的检测结果合格，则说明特气管路洁净度合格，吹扫工艺完成；若第二检测结果合格，则说明特气管路洁净度合格，吹扫工艺完成。

上述的测试高纯管道吹扫效果的方法，其中，采用高纯度的氮气对所述特气管路进行吹扫。

上述的测试高纯管道吹扫效果的方法，其中，步骤S3中抽检除已检测过的阀门分歧箱进行第二检测时的抽检率为10％。

上述的测试高纯管道吹扫效果的方法，其中，所述第一检测、第二检测和第三检测的检测因子均包括水份、氧份和颗粒。

上述的测试高纯管道吹扫效果的方法，其中，所述第一检测结果、第二检测结果或第三检测结果合格时，其结果中水份要小于10ppb、氧份要小于10ppb、颗粒小于1Pcs/ft³。

上述的测试高纯管道吹扫效果的方法，其中，所述颗粒为大于0.1um的颗粒。

上述的测试高纯管道吹扫效果的方法，其中，所述特气管路为：不包含区域分配箱且末端只有一个阀门分歧箱、不包含区域分配箱且末端至少两个阀门分歧箱或包含有区域分配箱且末端只有一个阀门分歧箱等类型的特气管路。

综上所述，由于采用了上述技术方案，本发明提出一种测试高纯管道吹扫效果的方法，通过根据特气管路中阀门分歧箱（VMB）布局的不同进行分类，并选择最末端的阀门分歧箱（VMB）作为测试对象，测试管路内的水份、氧份和颗粒来判断吹扫后管路的洁净度，并抽查除已检测过的阀门分歧箱（即末端VMB）之外进行抽查；这样，不仅明确了测试管道的内容和指标，还可避免时间、人力和财力的浪费，使得测试数量最小化，同时还能有效控制测试风险，增大产品良率。

附图说明

图1是本发明测试高纯管道吹扫效果的方法的工艺流程图；

图2是本发明测试高纯管道吹扫效果的方法中不包含区域分配箱且末端只有一个阀门分歧箱的特气管路的结构示意图；

图3是本发明测试高纯管道吹扫效果的方法中不包含区域分配箱且末端至少两个阀门分歧箱的结构示意图；

图4是本发明测试高纯管道吹扫效果的方法中包含有区域分配箱且末端只有一个阀门分歧箱的结构示意图。

具体实施方式  

下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步的说明：

图1是本发明测试高纯管道吹扫效果的方法的工艺流程图；如图1所示，一种测试高纯管道吹扫效果的方法，其中，包括以下步骤：