[发明专利]一种半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制造方法，该方法包括以下步骤：

(a)提供SOI衬底，在所述衬底上形成重掺杂埋层以及表面有源层；

(b)在所述衬底上形成栅极堆叠和侧墙；

(c)在所述栅极堆叠的一侧形成开口，所述开口贯穿所述表面有源层、重掺杂埋层并停止在所述SOI衬底绝缘埋层之上的硅膜中；

(d)填充所述开口，形成回填塞；

(e)形成源/漏区，所述源区与重掺杂埋层交叠，部分所述漏区位于所述回填塞中。

2.根据权利要求1所述的方法，其中步骤(a)中，形成重掺杂埋层的方法为离子注入或在SOI衬底的硅膜上原位掺杂外延。

3.根据权利要求1所述的方法，其中步骤(a)中，形成表面有源层的方法为在所述重掺杂埋层上原位掺杂外延。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其中步骤(a)中，所述重掺杂埋层的材料为Si、Ge、SiGe，其掺杂浓度为10¹⁸10²⁰cm^-3，对于NMOS，所述重掺杂埋层的掺杂类型为P型；对于PMOS，所述重掺杂埋层的掺杂类型为N型。

5.根据权利要求1或3所述的方法，其中步骤(a)中，所述表面有源层的材料为Si、Ge、SiGe，其掺杂浓度为10¹⁵10¹⁸cm^-3，对于NMOS，所述表面有源层的掺杂类型为P型；对于PMOS，所述表面有源层的掺杂类型为N型。

6.根据权利要求1所述的方法，其中步骤(c)中，形成开口的步骤包括：

(i)形成覆盖所述栅极堆叠和衬底的掩膜层；

(ii)刻蚀所述掩膜层，以暴露出所述栅极堆叠一侧的部分表面有源层；

(iii)通过刻蚀形成贯穿所述表面有源层、重掺杂埋层并停止在所述SOI衬底绝缘埋层之上的硅膜中的开口。

7.根据权利要求1所述的方法，其中步骤(d)中，填充所述开口的方法为外延。

8.根据权利要求1所述的方法，其中步骤(d)中，还包括通过外延部分填充所述开口，使之高于所述重掺杂埋层，然后通过原位掺杂外延，形成漏区。

9.根据权利要求1所述的方法，其中步骤(d)中，所述回填塞的材料为Si、Ge、SiGe。

10.一种半导体结构，该结构包括SOI衬底、重掺杂埋层、表面有源层、栅极堆叠、侧墙、源区、漏区，其中：

所述SOI衬底从下至上依次包括基底层、绝缘埋层、硅膜；

所述重掺杂埋层位于所述硅膜之上，位于所述源区和栅极堆叠的下面；

所述表面有源层位于所述重掺杂埋层之上；

所述栅极堆叠位于所述表面有源层之上；

所述侧墙位于所述栅极堆叠的侧壁上；

所述源区、漏区嵌于所述表面有源层中，位于所述栅极堆叠的两侧，所述源区与所述重掺杂埋层交叠。

11.根据权利要求10所述的半导体结构，其中所述重掺杂埋层的材料为Si、Ge、SiGe，其掺杂浓度为10¹⁸10²⁰cm^-3，对于NMOS，所述重掺杂埋层的掺杂类型为P型；对于PMOS，所述重掺杂埋层的掺杂类型为N型。

12.根据权利要求10所述的半导体结构，其中所述表面有源层的材料为Si、Ge、SiGe，其掺杂浓度为10¹⁵10¹⁸cm^-3，对于NMOS，所述表面有源层的掺杂类型为P型；对于PMOS，所述表面有源层的掺杂类型为N型。

13.根据权利要求10所述的半导体结构，其中所述漏区与所述绝缘埋层之间具有硅膜，所述硅膜的掺杂浓度小于所述重掺杂埋层的掺杂浓度。