[发明专利]形成双镶嵌结构的方法有效

申请号：	201210133587.4	申请日：	2012-04-28
公开（公告）号：	CN103377996A	公开（公告）日：	2013-10-30
发明（设计）人：	张海洋;王冬江	申请（专利权）人：	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
主分类号：	H01L21/768	分类号：	H01L21/768
代理公司：	北京集佳知识产权代理有限公司 11227	代理人：	骆苏华
地址：	201203 ***	国省代码：	上海;31
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摘要：
搜索关键词：	形成镶嵌结构方法
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【权利要求书】：

1.一种形成双镶嵌结构的方法，其特征在于，包括：

提供基底，在所述基底上形成含碳介质层；

在所述的介质层上形成第一图形化的掩膜层，定义互连沟槽的位置；

在所述介质层及第一图形化的掩膜层上形成第二图形化的掩膜层，定义通孔的位置；

以所述第二图形化的掩膜层为掩膜刻蚀介质层，形成通孔，在刻蚀时，介质层中的碳被损耗；

去除第二图形化的掩膜层，在所述通孔中通入CH₄等离子体以补充介质层中被损耗的碳；

以所述第一图形化的掩膜层为掩膜刻蚀介质层，形成互连沟槽；

去除所述第一图形化的掩膜层；

在所述通孔和互连沟槽中填充导电材料形成双镶嵌结构。

2.根据权利要求1所述的形成双镶嵌结构的方法，其特征在于，所述去除第二图形化的掩膜层，在所述通孔中通入CH₄等离子体以补充介质层中被损耗的碳，包括：

在去除第二图形化的掩膜层之后，在所述通孔中通入CH₄等离子体以补充介质层中被损耗的碳；

或者，在去除第二图形化的掩膜层之前，在所述通孔中通入CH₄等离子体以补充介质层中被损耗的碳。

3.根据权利要求1述的形成双镶嵌结构的方法，其特征在于，所述去除第二图形化的掩膜层，在所述通孔中通入CH₄等离子体以补充介质层中被损耗的碳包括：

去除部分厚度的第二图形化的掩膜层之后，在所述通孔中通入CH₄等离子体以补充介质层中被损耗的碳；

重复所述去除部分厚度的第二图形化的掩膜层和通入CH₄等离子体的步骤，直至完全去除第二图形化的掩膜层。

4.根据权利要求1所述的形成双镶嵌结构的方法，其特征在于，还包括：去除第一图形化的掩膜层后，在所述通孔中通入CH₄等离子体，以补充介质层中所损耗的碳。

5.根据权利要求1所述的形成双镶嵌结构的方法，其特征在于，所述第二图形化的掩膜层的材料为光刻胶。

6.根据权利要求5所述的形成双镶嵌结构的方法，其特征在于，利用灰化去除第二图形化的掩膜层，所述灰化工艺中使用的气体为CO₂气体或者CO₂与CO气体的混合气体。

7.根据权利要求1所述的形成双镶嵌结构的方法，其特征在于，还包括：在通入CH₄等离子体时，在通孔中通入N₂等离子体。

8.根据权利要求7所述的形成双镶嵌结构的方法，其特征在于，在所述通孔中通入CH₄等离子体和N₂等离子体的步骤包括：在基底所在的反应腔内通入CH₄气体和N₂气体，对所述CH₄气体和N₂气体进行等离化，获得CH₄等离子体和N₂等离子体，并对所述CH₄等离子体和N₂等离子体施加偏压，使所述CH₄等离子体和N₂等离子体通入通孔内。