[发明专利]一种制备大尺寸硅孔阵列的方法

权利要求书

1.一种制备大尺寸硅孔阵列的方法，其特征在于，所述的制备方法步骤如下：

(1)选择低电阻率的p型硅衬底，并在硅衬底表面上沉积金属颗粒；

(2)将表面沉积了金属颗粒的硅衬底在含有氧化剂的溶液中进行阳极氧化；

通过调节各步工艺参数，获得百纳米到微米量级的大尺寸硅孔阵列；其中，所述的低电阻率指所述的p型硅衬底的电阻率小于5Ω·cm，所述的大尺寸硅孔阵列指硅孔阵列的直径大于100nm。

2.根据权利要求1所述的制备大尺寸硅孔阵列的方法，其特征在于所述步骤(1)中，将所述的p型硅衬底浸入到HF∶AgNO₃的混合水溶液中，在表面沉积银纳米颗粒。

3.根据权利要求2所述的制备大尺寸硅孔阵列的方法，其特征在于所述的HF∶AgNO₃的混合水溶液中，HF的浓度为0.07M，AgNO₃的浓度为1×10^-3M，所述的硅衬底在所述的HF∶AgNO₃的混合水溶液中浸渍的时间为1分钟。

4.根据权利要求1所述的制备大尺寸硅孔阵列的方法，其特征在于所述的步骤(2)中，所述含有氧化剂的溶液为HF∶H₂O₂∶H₂O混合液，HF∶H₂O₂∶H₂O混合液的比例为体积比45∶150∶360。

5.根据权利要求4所述的制备大尺寸硅孔阵列的方法，其特征在于所述的步骤(2)对硅衬底进行的阳极氧化在恒流条件下进行，阳极氧化的电流密度为0.06A/cm²，阳极氧化的时间为30分钟。