[发明专利]抗蚀剂膜剥离方法、掩模基板的制造方法及转印掩模的制造方法

权利要求书

1.一种抗蚀剂膜剥离方法，其中从下述的掩模基板将抗蚀剂膜剥离，所述掩模基板具有基板、形成于该基板上的成为转印图案的转印图案用薄膜和形成于该转印图案用薄膜上的抗蚀剂膜，其特征在于，

根据所述掩模基板的显影前的抗蚀剂膜的灵敏度改变、抗蚀剂膜表面的缺陷或者抗蚀剂膜的涂布异常来判断掩模基板为不合格或者不能用作掩模基板使用时，进行使臭氧溶解而成的臭氧水与所述显影前的抗蚀剂膜接触而使该抗蚀剂膜溶解的臭氧水处理，由此将形成于所述掩模基板的显影前的抗蚀剂膜剥离。

2.根据权利要求1所述的抗蚀剂膜剥离方法，其特征在于，所述转印图案用薄膜由含有铬的材料形成。

3.根据权利要求1所述的抗蚀剂膜剥离方法，其特征在于，所述转印图案用薄膜中，在上层设有含有氧和/或氮的具有防反射功能的防反射层。

4.根据权利要求3所述的抗蚀剂膜剥离方法，其特征在于，所述防反射层中的氧和/或氮的含量为40原子％以上。

5.根据权利要求1所述的抗蚀剂膜剥离方法，其特征在于，所述转印图案用薄膜为遮光膜。

6.根据权利要求1所述的抗蚀剂膜剥离方法，其特征在于，在所述遮光膜上具有下述硬掩模，所述硬掩模由对于将遮光膜图案化时用作掩模层的遮光膜的侵蚀剂具有耐性的无机材料形成。

7.根据权利要求1所述的抗蚀剂膜剥离方法，其特征在于，所述掩模基板为具有：

形成于所述基板上的多层反射膜；

形成于所述多层反射膜上的作为所述转印图案用薄膜的吸收体膜；以及

所述抗蚀剂膜。

8.根据权利要求1所述的抗蚀剂膜剥离方法，其特征在于，

在所述臭氧水处理之前，使酸性或碱性水溶液与所述抗蚀剂膜接触，使所述抗蚀剂膜的膜厚变薄后，进行所述臭氧水处理。

9.根据权利要求1所述的抗蚀剂膜剥离方法，其特征在于，通过所述臭氧水处理将所述抗蚀剂膜剥离后，再用气体溶解水进行气体溶解水处理。

10.根据权利要求1所述的抗蚀剂膜剥离方法，其特征在于，所述臭氧水处理中，采用臭氧以25～110ppm溶解而成的臭氧水。

11.一种掩模基板的制造方法，其特征在于，其是使用权利要求1～10中任一项所述的抗蚀剂膜剥离方法来制造掩模基板的方法，其中，

将形成于所述转印图案用薄膜上的所述抗蚀剂膜剥离后，在所述转印图案用薄膜上形成新的抗蚀剂膜。

12.根据权利要求11所述的掩模基板的制造方法，其特征在于，所述掩模基板是KrF准分子激光曝光用掩模基板、ArF准分子激光曝光用掩模基板、F2准分子激光曝光用掩模基板或EUV曝光用掩模基板。

13.一种转印掩模的制造方法，其特征在于，其是使用由权利要求11所述的制造方法所制造的掩模基板来制造转印掩模的方法，其中，

对所述新抗蚀剂膜进行选择性曝光、显影而形成抗蚀剂图案后，以该抗蚀剂图案为掩模，将所述转印图案用薄膜图案化而形成转印图案。

14.一种图案转印方法，其特征在于，使用由权利要求13所述的制造方法所制造的转印掩模，通过光刻技术制作具有微细图案的半导体器件和液晶器件。