[发明专利]读出放大电路及存储器

权利要求书

1.一种读出放大电路，其特征在于，包括：

多位存储单元构成的基本物理单元，各位存储单元对应连接于各自的读出位线；所述基本物理单元经由第一选通管选通；

与所述基本物理单元布局相同、由多位基准单元构成的基准单元组，其中各基准单元与各位存储单元一一对应，对应连接于各自的基准电压线，并且与对应各位存储单元的结构完全相同；所述基准单元组经由第二选通管选通；所述第二选通管与第一选通管的结构完全相同；

读出放大器，连接上述多根读出位线及基准电压线，根据各读出位线与其对应的基准电压线上电压的比较结果，输出相应的读出数据。

2.如权利要求1所述的读出放大电路，其特征在于，所述基本物理单元包括8位存储单元；所述基准单元包括8位基准单元。

3.如权利要求1或2所述的读出放大电路，其特征在于，所述基准单元包括串联的第一选择管和第一基准管，所述第一选择管接收控制信号，所述第二选通管接收控制信号以控制所述第一基准管的选通，所述第一基准管接地；所述控制信号有效时，所述第一选择管和第一基准管被选通，所述第一选择管输出基准电压。

4.如权利要求3所述的读出放大电路，其特征在于，所述第一选择管为NMOS管，所述第一基准管具有控制栅和浮栅层叠的栅极结构，所述第二选通管为NMOS管；所述第一选择管的栅极接收控制信号，漏极连接基准电压线以输出基准电压，源极连接所述第一基准管的漏极；所述第一基准管的控制栅连接所述第二选通管的源极，源极通过公共有源区两端引出金属连线接地；所述第二选通管的栅极接收控制信号，漏极接收偏置电压；在控制信号有效时，所述第二选通管将偏置电压传输至所述第一基准管的控制栅。

5.如权利要求1所述的读出放大电路，其特征在于，多个所述基本物理单元构成存储单元阵列，所述存储单元阵列包括n行m列个所述基本物理单元，n和m均为自然数；所述存储单元阵列中，沿列方向的相邻两行所述基本物理单元呈镜像结构。

6.如权利要求5所述的读出放大电路，其特征在于，两个所述基准单元组构成基准单元阵列，其中一基准单元组对应偶数行存储单元，另一基准单元组对应奇数行存储单元。

7.如权利要求5所述的读出放大电路，其特征在于，各基本物理单元对应接收行选地址信号和列选地址信号，在相应行选地址信号有效及相应列选地址有效时被选通。

8.如权利要求6所述的读出放大电路，其特征在于，所述两个基准单元组中，一基准单元组通过反相器接收最低位行地址信号，另一基准单元组直接接收最低位行地址信号；所述两个基准单元组基于最低位行地址信号择一选通。

9.如权利要求7所述的读出放大电路，其特征在于，各基本物理单元中的各位存储单元经由列向选择管对应接收列向地址选择信号，在对应列向地址选择信号有效时被选通。

10.如权利要求8所述的读出放大电路，其特征在于，各基准单元组中的各位基准单元经由列向选择管对应接收列向地址选择信号，在对应列向地址选择信号有效时被选通。

11.如权利要求7所述的读出放大电路，其特征在于，各基本物理单元中的各位存储单元经由列向选择管连接至对应的读出放大器。

12.一种存储器，其特征在于，包括权利要求1至11任一项所述的读出放大电路。

13.如权利要求12所述的存储器，其特征在于，所述存储器为EEPROM。