[发明专利]发光装置及其制造方法

权利要求书

1.一种发光装置，其包含：

一基板，具有一晶粒黏着部；

一发光二极管晶粒，其设置于该晶粒黏着部上，该发光二极管晶粒具有一底座，该底座为透光材质；

一第一透光层，其覆盖于该发光二极管晶粒的侧面；

一光波长转换层，其均匀地覆盖于该第一透光层及该发光二极管晶粒上；以及

一第二透光层，其覆盖于该光波长转换层上。

2.如权利要求1所述的发光装置，其中该基板的材质为氧化铝、氮化铝、碳化硅、硅基板、铜金属及其合金、铝金属及其合金、金属核印刷电路板、玻璃纤维环氧树脂基板或陶瓷材料。

3.如权利要求1所述的发光装置，其中该基板还具有一第一电极、一第二电极和一电极连接件，其中该第一电极与该第二电极设置于该基板上，位于该晶粒黏着部的两侧，且与该发光二极管晶粒电性相连，该电极连接件穿设该基板，以分别将该第一电极与该第二电极电性连接至该基板的下表面。

4.如权利要求1所述的发光装置，其中该发光二极管晶粒为水平式结构、覆晶结构或类覆晶结构。

5.如权利要求1所述的发光装置，其中该底座为蓝宝石、氧化铝、玻璃或碳化硅。

6.如权利要求1所述的发光装置，其中该第一透光层覆盖于该发光二极管晶粒上，且同时以三角形或类三角形的剖面形状覆盖于该发光二极管晶粒的侧面。

7.如权利要求1所述的发光装置，其中该第一透光层以该发光二极管晶粒的侧面和该基板的上表面为边界，形成剖面为三角形或类三角形的形状覆盖于该发光二极管晶粒的侧面。

8.如权利要求1所述的发光装置，其中该第一透光层以其外表面和该发光二极管晶粒的底面为边界，形成剖面为梯形或类梯形的形状覆盖于该发光二极管的该侧面与上表面。

9.如权利要求1所述的发光装置，其中该第一透光层还覆盖于该发光二极管晶粒上。

10.如权利要求1所述的发光装置，其中该第一透光层为硅胶、环氧树脂、硅胶与环氧树脂混合物或玻璃。

11.如权利要求1所述的发光装置，其中该光波长转换层还具有光波长转换粒子。

12.如权利要求11所述的发光装置，其中该光波长转换粒子为钇铝石榴石荧光粉、硅酸盐荧光粉、铽铝石榴石荧光粉、氧化物荧光粉、氮化物荧光粉、铝氧化物荧光粉或可供光波长转换的荧光粉或材料。

13.如权利要求1所述的发光装置，其中该第二透光层为硅胶、环氧树脂、硅胶与环氧树脂混合物或玻璃。

14.如权利要求1所述的发光装置，其中该第二透光层为外凸型、平面型或内凹型。

15.如权利要求1所述的发光装置，其中该发光二极管晶粒的发光为可见光或不可见光。

16.如权利要求1所述的发光装置，其中该基板具有一反射结构，该反射结构位于该基板的上表面的侧边。

17.一种发光装置的制造方法，其包含步骤：

提供一基板，该基板具有一晶粒黏着部；

将一发光二极管晶粒设置于该晶粒黏着部上，该发光二极管晶粒具有一底座，该底座为透光材质；

将一第一透光层覆盖于该发光二极管晶粒的侧面；

将一光波长转换层均匀地覆盖于该第一透光层及该发光二极管晶粒上；以及

将一第二透光层覆盖于该光波长转换层上。

18.如权利要求17所述的制造方法，其中该第一透光层还覆盖于该发光二极管晶粒上，且同时以三角形或类三角形的剖面形状覆盖于该发光二极管晶粒的侧面。

19.如权利要求17所述的制造方法，其中该第一透光层以该发光二极管晶粒的侧面和该基板的上表面为边界，形成剖面为三角形或类三角形的形状覆盖于该发光二极管晶粒的侧面。

20.如权利要求17所述的制造方法，其中该第一透光层以其外表面和该发光二极管晶粒的底面为边界，形成剖面为梯形或类梯形的形状覆盖于该发光二极管的该侧面与上表面。

21.如权利要求17所述的制造方法，其中该第一透光层还覆盖于该发光二极管晶粒上。