[发明专利]一种磺化聚苯酚薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201210127797.2 | 申请日： | 2012-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN102644099A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 侯宏英;刘显茜 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | C25D9/02 | 分类号： | C25D9/02;C25D17/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 650093 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 磺化 苯酚 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种磺化聚苯酚薄膜的制备方法，其特征在于经过下列各步骤：
以浓度为0.005～0.1mol/L、pH=0～13的磺化苯酚水溶液作为电解质溶液，以三电极为电极，其中三电极为工作电极、参比电极和对电极，在室温到80℃下通过循环伏安扫描或计时安培法扫描进行阳极氧化反应实现单体的电化学聚合反应，从而在工作电极表面生成一层黄色或棕黄色的磺化聚苯酚薄膜。
2.根据权利要求1所述的磺化聚苯酚薄膜的制备方法，其特征在于：所述电解质溶液中加入支持电解质，使其浓度为0.01～0.1mol/L。
3.根据权利要求2所述的磺化聚苯酚薄膜的制备方法，其特征在于：所述支持电解质为无机盐、无机酸或无机碱。
4.根据权利要求1所述的磺化聚苯酚薄膜的制备方法，其特征在于：所述循环伏安扫描的电压范围为0.6～1.8V。
5.根据权利要求1所述的磺化聚苯酚薄膜的制备方法，其特征在于：所述计时安培法扫描的电压范围为1.20～1.3V。
6.根据权利要求1所述的磺化聚苯酚薄膜的制备方法，其特征在于：所述计时安培法扫描的时间为0.5～1.5小时。
7.根据权利要求1所述的磺化聚苯酚薄膜的制备方法，其特征在于：所述工作电极为圆片状、纳米管状或网状的导体或半导体材料。
8.根据权利要求1所述的磺化聚苯酚薄膜的制备方法，其特征在于：所述参比电极为饱和甘汞电极、饱和银/氯化银电极或汞/氧化汞电极。
9.根据权利要求1所述的磺化聚苯酚薄膜的制备方法，其特征在于：所述对电极为铂丝，铂网或铂片电极。
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