[发明专利]CMOS图像传感器有效
| 申请号： | 201210127031.4 | 申请日： | 2012-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN102637714A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 田犁;陈杰;汪辉;苗田乐;方娜 | 申请（专利权）人： | 上海中科高等研究院 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;G02F1/133 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201210 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 | ||
1.一种CMOS图像传感器，其特征在于，至少包括：
光通断结构，包括：
第一偏振片；
液晶光导结构，包括结合于所述第一偏振片的第一透明导电层、结合于所述第一透明导电层的液晶层以及结合于所述液晶层的第二透明导电层，所述述第一、第二透明导电层用于施加电压以控制所述液晶层的排列方向；
第二偏振片，结合于所述液晶光导结构，其偏振方向与所述第一偏振片的偏振方向具有相位差；
像素结构，包括结合于所述光通断结构的感光元件及连接于所述感光元件的像素读出电路，用于将所述感光元件产生的电信号进行读出。
2.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于：所述第一偏振片和所述第二偏振片的相位差为90度。
3.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于：所述CMOS图像传感器还包括一连接于所述第一、第二透明导电层的电压控制装置，用于控制所述第一、第二透明导电层的电压，以控制所述感光元件上光的通断时间。
4.根据权利要求3所述的CMOS图像传感器，其特征在于：所述电压控制装置的电压输出范围为0～5V。
5.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于：所述感光元件为光门、PN型光电二极管或PIN型光电二极管。
6.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于：所述第一透明导电层及第二透明导电层的材料为氧化铟锡、锑掺杂氧化锡、氟掺杂氧化锡或铝掺杂氧化锌。
7.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于：所述液晶层的材料为向列相液晶。
8.根据权利要求7所述的CMOS图像传感器，其特征在于：所述液晶层的材料为扭曲向列相液晶或超扭曲向列型液晶。
9.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于：所述像素读出电路为4T型结构或5T型结构的像素读出电路。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
