[发明专利]有机发光二极管显示面板的制造方法无效

专利信息
申请号: 201210126591.8 申请日: 2012-04-26
公开(公告)号: CN103378000A 公开(公告)日: 2013-10-30
发明(设计)人: 周政伟 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: H01L21/77 分类号: H01L21/77
代理公司: 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 代理人: 杨波
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 有机 发光二极管 显示 面板 制造 方法
【说明书】:

技术领域

发明是有关于一种有机发光二极管显示面板的制造方法,且特别是有关于一种主动矩阵有机发光二极管显示面板的制造方法。

背景技术

于制作大尺寸的主动矩阵有机发光二极管(Active Matrix Organic Light-Emitting Diode, 简称AMOLED)显示器的制程中,以喷墨印制(Ink Jet Printing)技术为目前的主流。

喷墨印制(Ink Jet Printing)技术是将红、蓝、绿三原色的高分子喷印在像素电极的区域中。此种喷墨印制技术比传统的旋转涂布(spin-coating)的方法更为简单,且可大面积制作。但在制程中,红、蓝、绿三原色的位置需要重复对位以进行喷墨制程。然而在一般制程过程中,高精准度的对位程序并不容易达成,因而渐渐发展出对基板表面进行差异性处理的制程,以使得三原色的墨滴能够达成自我定位、避免互相混色的目的。

图1为利用传统制程所制作的有机发光二极管背板100示意图。请参照图1,传统的表面处理的制程,一般是利用至少两道遮罩于基板110上形成上下两层分别为亲水性的储存室150与疏水性的储存室(bank) 160,使得上述墨滴能被局限于储存室中。或是利用紫外光照射疏水性的储存室,以在基板上形成具有亲疏水差异性的表面(图未示),以达成将墨滴局限于储存室中的目的。此外在形成储存室之前,须先在基板上形成薄膜晶体管(包括栅极122、金属氧化物124、漏极/源极结构126、128)。而传统的制程过程中,须分别形成至少两层钝化(passivation)层130、140于薄膜晶体管上方,所需要的遮罩数至少四道以上。

上述制程过程过于复杂,所需的遮罩数目较多而导致制程成本相对较高。而利用紫外光来形成差异性表面,可能会因为紫外光的照射,而导致下层的组件薄膜(如金属氧化层)的特性劣化。有鉴于此,仍有必要提出一种有机发光二极管的制程,以简化制程,降低成本,提升组件的可靠度。

发明内容

本发明提出一种有机发光二极管显示面板的制造方法,以简化制程,降低成本,并提升组件的可靠度。

为达上述优点或其它优点,本发明之一实施例提出一种有机发光二极管显示面板的制造方法,包括:提供基板;形成若干个不相连的栅极结构于基板上方,其中栅极结构的上层结构包括阳极层;形成间隔层于栅极结构与基板上方,其中间隔层具有位于栅极结构上方的开口,开口贯穿间隔层并暴露出阳极层;形成疏水性薄膜,仅位于间隔层上方;以及形成有机发光层于开口中,并形成阴极层于有机发光层与疏水性薄膜上方。

在本发明之一实施例中,在上述形成间隔层之前,更包括形成栅极绝缘层于栅极结构与基板上方,开口更贯穿栅极绝缘层使阳极层暴露出来。

在本发明之一实施例中,在上述形成栅极绝缘层后以及在形成间隔层之前,更包括形成金属氧化层在邻近开口的栅极结构与栅极绝缘层上方。

在本发明之一实施例中,上述金属氧化层的材质为氧化铟镓锌。

在本发明之一实施例中,在上述形成金属氧化层后,更包括形成蚀刻终止层于金属氧化层上方,以及形成漏极/源极结构于蚀刻终止层、金属氧化层以与栅极结构上方,且蚀刻终止层与金属氧化层位于漏极/源极结构之间。

在本发明之一实施例中,上述疏水性薄膜的材质为自组装单分子层,其中形成疏水性薄膜的方法为蒸镀法。

在本发明之一实施例中,上述自组装单分子层为十八烷基三甲氧基硅烷。

在本发明之一实施例中,上述间隔层的材质为亲水性材质。

在本发明之一实施例中,上述间隔层的材质为氧化硅。

在本发明之一实施例中,上述阳极层的材质为氧化铟锡。

本发明另提出一种有机发光二极管显示面板的制造方法,包括:提供基板;形成具有延伸部之导体结构于基板上方,其中导体结构与延伸部之上层结构包括阳极层;形成间隔层于阳极层与基板上方,其中间隔层具有位于延伸部上方之开口,且开口贯穿间隔层并暴露出延伸部之阳极层;形成疏水性薄膜,仅位于间隔层上方;以及形成有机发光层于开口中,并形成阴极层于有机发光层与疏水性薄膜上方。

在本发明之一实施例中,该导体结构为漏极/源极结构。在本发明之一实施例中,在上述形成导体结构于基板上方之前,更包括形成栅极结构在基板上方以及形成栅极绝缘层在栅极结构与基板上方,其中导体结构位于栅极结构与栅极绝缘层上方,而延伸部仅位于栅极绝缘层上方。

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