[发明专利]有机发光二极管显示面板的制造方法

权利要求书

1.一种有机发光二极管显示面板的制造方法，包括：

提供基板；

形成若干个不相连的栅极结构于该基板上方，该栅极结构之上层结构包括阳极层；

形成间隔层于该栅极结构与该基板上方，该间隔层具有位于该栅极结构上方的开口，该开口贯穿该间隔层并暴露出该阳极层；

形成疏水性薄膜，仅位于该间隔层上方；以及

形成有机发光层于该开口中，并形成阴极层于该有机发光层与该疏水性薄膜上方。

2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示面板的制造方法，其特征在于：在形成该间隔层之前，更包括形成栅极绝缘层于该些栅极结构与该基板上方，该开口更贯穿该栅极绝缘层使该阳极层暴露出来。

3.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示面板的制造方法，其特征在于：在形成该栅极绝缘层后以及在形成该间隔层之前，更包括形成金属氧化层在邻近该开口的该栅极结构与该栅极绝缘层上方。

4.根据权利要求3所述的有机发光二极管显示面板的制造方法，其特征在于：该金属氧化层的材质为氧化铟镓锌。

5.根据权利要求3所述的有机发光二极管显示面板的制造方法，其特征在于：在形成该金属氧化层后，更包括形成蚀刻终止层于该金属氧化层上方，以及形成漏极/源极结构于该蚀刻终止层、该金属氧化层以及该栅极结构上方，且该蚀刻终止层与该金属氧化层位于该漏极/源极结构之间。

6.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示面板的制造方法，其特征在于：该疏水性薄膜的材质为自组装单分子层，其中形成该疏水性薄膜的方法为蒸镀法。

7.根据权利要求6所述的有机发光二极管显示面板的制造方法，其特征在于：该自组装单分子层为十八烷基三甲氧基硅烷。

8.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示面板的制造方法，其特征在于：该间隔层的材质为亲水性材质。

9.根据权利要求8所述的有机发光二极管显示面板的制造方法，其特征在于：该间隔层的材质为氧化硅。

10.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示面板的制造方法，其特征在于：该阳极层的材质为氧化铟锡。

11.一种有机发光二极管显示面板的制造方法，包括：

提供基板；

形成具有延伸部之导体结构于该基板上方，其中该导体结构与该延伸部之上层结构包括阳极层；

形成间隔层于该阳极层与该基板上方，该间隔层具有位于该延伸部上方的开口，该开口贯穿该间隔层并暴露出该延伸部之该阳极层；

形成疏水性薄膜，仅位于该间隔层上方；以及

形成有机发光层于该开口中，并形成阴极层于该有机发光层与该疏水性薄膜上方。

12.根据权利要求11所述的有机发光二极管显示面板的制造方法，其特征在于：该导体结构为漏极/源极结构。

13.根据权利要求12所述的有机发光二极管显示面板的制造方法，其特征在于：在形成该导体结构于该基板上方之前，更包括形成栅极结构于该基板上方以及形成栅极绝缘层于该栅极结构与该基板上方，该导体结构位于该栅极结构与该栅极绝缘层上方，该延伸部仅位于该栅极绝缘层上方。

14.根据权利要求13所述的有机发光二极管显示面板的制造方法，其特征在于：在形成该栅极绝缘层之后，更包括形成金属氧化层于该栅极结构与该栅极绝缘层上方以及形成蚀刻终止层于该金属氧化层上方，而后再接着形成该导体结构于该金属氧化层与该蚀刻终止层的上方与周围。

15.根据权利要求14所述的有机发光二极管显示面板的制造方法，其特征在于：该金属氧化层的材质为氧化铟镓锌。

16.根据权利要求11所述的有机发光二极管显示面板的制造方法，其特征在于：该疏水性薄膜的材质为自组装单分子层，形成该疏水性薄膜的方法为蒸镀法。

17.根据权利要求16所述的有机发光二极管显示面板的制造方法，其特征在于：该自组装单分子层为十八烷基三甲氧基硅烷。

18.根据权利要求11所述的有机发光二极管显示面板的制造方法，其特征在于：该间隔层的材质为亲水性材质。