[发明专利]半导体晶圆和半导体器件

说明书

本申请是申请号为200880000044.7，发明名称为“半导体晶圆和半导体器件及其制作方法”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及半导体晶圆(semiconductor wafer)和半导体器件。

发明背景

半导体晶圆的制作，继而其用于制作半导体器件，是一种发展甚好的技术。存在许多不同的半导体晶圆制作方法，也有许多从预制晶圆来制作半导体器件的已知方法。半导体器件普遍存在于现代技术设备和装置中。

尽管许多晶圆和半导体器件是构造在硅基板或类似材料上，但是某些器件更适合构造在蓝宝石基板上，如垂直结构的氮化镓(GaN)基发光二极管(LED)。在一些已知工艺里，使用一个激光剥离(LLO)工艺，去除蓝宝石基板，露出各种n-型层以便随后的蚀刻和去除工作，以至一个n-型电极可以接触到低渗杂的n-型GaN层。

但是，制造垂直结构的氮化镓基LED以及其它半导体器件的已知方法有一些局限，因为对制造可靠且有效的LED而言，LLO工艺可能是不合适的、有破坏性的和效率低的。再者，由于不同的GaN层选择性蚀刻，要区分不同层之间的界面或许很困难。所以，需要有一种制作半导体器件的方法，其能够解决已知方法的缺陷。

发明概述

依照本发明一个实施例，披露了一种半导体晶圆。半导体晶圆包括一个基板；多个在基板上形成的抛光触止块(polishing stop)；以及一个或多个在基板上生长的缓冲层。

依照本发明一个实施例，披露了一种半导体器件。半导体器件包括一个基板；多个在基板上形成的抛光触止块；在基板上生长的一个或多个缓冲层；在一个或多个缓冲层上生长的一个或多个外延层(epitaxial layer)；以及被增加到一个或多个外延层的一个或多个金属层。

依照本发明一个实施例，披露了一种制作半导体晶圆的方法。本方法包括提供一个基板；在基板上形成多个抛光触止块；在基板上生长一个或多个缓冲层；以及在一个或多个缓冲层上生长一个或多个外延层。

依照本发明一个实施例，披露了一种制作半导体器件的方法。本方法包括提供一个基板；在基板上形成多个抛光触止块；在基板上生长一个或多个缓冲层；在一个或多个缓冲层上生长一个或多个外延层；在一个或多个外延层上增加一个或多个金属层；粘贴第二基板到一个或多个金属层；以及使用一种机械去削工艺(mechanical thinning process)去除基板。

对本领域技术人员而言，从以下的详细描述，本发明的其它实施例将变得越发明显，其中本发明实施例通过实例方式进行描述。本领域技术人员将会认识到，本发明能够有其它不同的实施例，其细节可以在不同方面进行修改，而不会脱离本发明的精神和范围。

附图说明

图1显示依照本发明一个实施例形成抛光触止块的一个半导体晶圆的截面图；

图2显示依照本发明一个实施例生长外延层的一个半导体晶圆的截面图；

图3显示依照本发明一个实施例在外延层上形成抛光触止块的一个半导体晶圆的截面图；

图4显示依照本发明一个实施例在外延层上形成光子结构(photonic structure)的一个半导体晶圆的截面图；

图5显示依照本发明一个实施例形成抛光触止块和蚀刻触止层的一个半导体晶圆的截面图；

图6显示依照本发明一个实施例形成抛光触止层的一个半导体晶圆的截面图；

图7显示依照本发明一个实施例形成抛光触止块的一个半导体器件的截面图；

图8显示依照本发明一个实施例形成一个内置触点(built-in contact)的一个半导体器件的截面图；

图9显示依照本发明一个实施例形成一个新基板的一个半导体器件的截面图；

图10显示依照本发明一个实施例图案化电镀的一个半导体器件的截面图；

图11显示依照本发明一个实施例显示基板去除的一个半导体器件的截面图；

图12是依照本发明一个实施例显示示例半导体器件表面变化的一个半导体器件的截面图；

图13显示依照本发明一个实施例形成内置触点的一个半导体器件的截面图。

发明详述

在以下描述里，参照附图，描述了本发明的具体实施例。可以理解，在不脱离本发明的范围，可以有结构和其它变化的其它实施例。再者，不同实施例及其方面可以被合适地相互结合。所以，附图和详细描述仅是用作描述性的而不是限制性的。